硅碳比对Si111表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响.pdfVIP

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2017-09-11 发布于江西
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硅碳比对Si111表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响.pdf

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第23卷第3期无机材料学报 V01．23，No．3 Journalof Materials May,2008 2008年5月 Inorganic 文章编号：1000—324X(2008)03-0549—04 刘忠良，任鹏，刘金锋，徐彭寿 (中国科学技术大学国家同步辐射实验室，合肥230029) 立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术，对生长的样品形貌和结构进行了研究．结果表明，在Si／C比(1．I：I．0) 下生长的薄膜样品，XRDu扫描得到半高宽为2．1。；RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环，有孪晶斑点． u扫描得到的半高宽为1．5。，RHEED显示具有Si的斑点和SiC的在si／c比(2．3：1．0)下生长的薄膜，XRD 孪晶斑点． AFM显示在这两个si／c比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑，表面比较粗糙．从红外光谱得 u扫描得到的半高宽仅为L10；出薄膜存在着比较大的应力．但在si／c比(1．5：1．0)下生长的薄膜样品，XRD 明显的空洞，表面比较平整．FTIR谱的位置显示，在此Si／C比下生长的薄膜内应力比较小．因此可以认为，存在着一个优化的si／c比(1．5：1．0)，在这个si／c比下，生长的薄膜质量较好．关键词：硅碳比；碳化硅；硅衬底；固源分子束外延中圈分类号，0484，TN304文献标识码：A EffectofDifferentfluxRatiosontheGrowthofSiC si／c on SSMBE Si(111)by LIU Zhong—Liang，RENPeng，LIUJin-Feng，XUPeng-Shou Radiation ofScienceand ofChina，Hefei (NationalSynchrotronLaboratory,UniversityTechnology 230029， China) filmswere on 1 solid-sourcemolecularbeam Abstract：SigrownSiC(11)substrateby epitaxy(SSMBE) filmswere atdifferentfluxratios．ThestructurecharacteristicsofSiC reflection si／c investigatedby electron force highenergy diffraction(RHEED)，X—raydiffraction(XRD)，atomicmicroscope(AFM) andFouriertransforminfrared the at flux samplegrown spectroscope(FTIR)．ForSi／C ratio(1．1：1．o)， andtwin areobservedinRHEEDandth