化学气相沉积SiC膜111取向生长的原子尺度模拟.pdfVIP

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2017-09-11 发布于江西
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化学气相沉积SiC膜111取向生长的原子尺度模拟.pdf

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第23卷第5期无机材料学报 V01．23，No．5 2008年9月 Journalof Materials Inorganic Sep．，2008 文章编号：1000—324X(2008)05—0933—05 化学气相沉积SiC膜{111}取向生长的原子尺度模拟刘翠霞，杨延清，黄斌，张荣军，罗贤，任晓霞 (西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室，西安710072) 摘要：在化学气相沉积SiC膜过程中，分别考虑了化学反应的动力学以及基底表面原子的沉积与扩散，利用膜{111)取向生长过程．模拟结果表明：膜的生长经历了小岛的生成、小岛的合并与扩展、小岛间达到动态平衡三个阶段．随着温度的升高，膜的生长速率、表面粗糙度以及膜的厚度都增大．随着生长速率的增大，表面粗糙度增大，相对密度减小．模拟结果与理论和实验具有较好的吻合性．关键词：化学气相沉积； SiC膜；动力学MonteCarlo模拟；表面粗糙度；相对密度中图分类号：TQl63，0639，TP391文献标识码：A AtomicScaleSimulation1 SiCFilmGrowthChemical of{1 by 1}-Oriented Method VaporDeposition LIU Xiao-Xia Cui—Xia，YANG Bin，ZHANG Xian，REN Yan-Qing，HUANGRong-Jun，LUO of and of MaterialsScience SolidificationNorthwestern (School Engineering，StateKeyLaboratory Processing Polytechnical University,Xi’an710072，China) Abstract：Inthe ofSiCfilmfabricatedchemical by vapordepositionmethod，kinetic process process and of ofchemicalreactioninreactionzone the anddiffusionmatrixsurfacewerestudied deposition kineticMonteCarlo three-dimensional 1 SiC atomic—scale respectively．With method，a of{11}一oriented filmisestablishedandits issimulatedMATLAB．Theresultsshowthatthe growthprocess