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趋势与展望
Trends and Future Outlook
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DOI :10. 3969 /j. issn. 1003 － 353x. 20 11. 12. 00 1
、
固态微波毫米波 太赫兹器件与电路的新进展
赵正平
( ， 100846)
中国电子科技集团公司 北京
: 、 、 ，Si
摘要 固态微波毫米波 太赫兹器件与电路是微电子 纳电子领域的战略制高点之一
CMOS ，GaAs ，InP “ ” ( 、 )，GaN
技术进入纳米加工时代 材料的 能带工程 超晶格 异质结 材料的
宽禁带和界面特性以及石墨烯纳米级新材料的创新发展都深刻影响着固态微波毫米波、太赫兹器
。 、 ，
件与电路的进展 描述了固态微波 毫米波和太赫兹器件与电路当前发展的新亮点 包括纳米加
、 、GaN MMIC 3 mm 、
工技术 石墨烯新材料 功率合成突破 频段百瓦级 三端器件进入太赫兹和两
2. 7 THz 。 RF CMOS ，SiGe HBT ，LDMOS ，GaAs
端器件倍频链突破 微瓦功率 并重点就当前发展的
PHEMT ，GaAs MHEMT ，InP HEMT ，InP HBT ，GaN HEMT ，GFET THz 10
和 倍频链等 个领域的
发展特点、20 11 年最新发展以及未来发展趋势进行介绍。
: ; ; ;RF CMOS ; ;
关键词 固态微波 毫米波 太赫兹 高电子迁移率晶体管 栅控式场发射三
极管
中图分类号:TN385 文献标识码:A 文章编号:1003 － 353X (2011)12 －0897 －08
New Developments of Solid State Microwave ，Millimeter-wave ，
THz Devices and Circuits
Zhao Zhengping
(China Electronics Technology Group Corp oration ，Beij ing 100846 ，China)
Abstract :So
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