GaN发光二极管的负电容现象.pdfVIP

第 2 1 卷 　第 4 期 发 　光 　学 　报 Vol2 1 No . 4 2000 年 12 月 CH IN ESE J OU RNAL OF L U M IN ESCEN CE Dec . , 2000 Ga N 发光二极管的负电容现象 1 ,2 1 ,2 3 3 3 3 2 2 沈　君 , 王存达 , 杨志坚 , 秦志新 , 童玉珍 , 张国义 , 李月霞 , 李国华 ( 1. 天津大学 应用物理学系 , 天津 　300072 ; 　2 . 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 , 北京 　100083 ; 3 . 北京大学 物理学系 人工微结构与介观物理国家重点实验室 , 北京 　10087 1) 摘要 : 采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性 , 由此可以同时测量结电容 和串联电阻 ,并能判断二极管是否有界面层 。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下 , GaN 二极 管的结电容具有负值 ,并且测试频率越低 ,正向偏压越大 ,负电容现象越显著 。这种负电容效应可能与大正向 电压下强注入造成的电子 - 空穴复合发光有关 。 关 　键 　词 : GaN ; 发光二极管 ; 负电容 中图分类号 : O472 3 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : (2000) 1 　引　　言 GaN 是一种新型的半导体材料 , 由于它具有 宽禁带 、直接带隙的特点 ,在短波长发光器件 、高 温大功率电子器件 、高频微波器件等方面都有着 十分广阔的应用前景 。本文测量了 GaN pn 结蓝 色发光二极管在正向偏压下的结电容和电压的关 系 ,并考虑了串联电阻对测试结果的影响 。由于 结电容的变化与器件内部的物理过程有着直接关 图 1 　( ) ( ) a 二极管的等效电路 　 b 串联模式的测量电路 系 ,所以对不同频率下的结电容与电压关系曲线 ( ) ( ) Fig. 1 　 a The equivalent circuit of a diode , b Serial 的分析 ,将有助于更详细地了解器件的结构和性 measurement circuit . 能 , 同时为改善器件制备工艺提供有用信息 。 偏压下会带来很大的测试误差 。我们发现 ,在正向 ( ) 偏压下采用如图 1 b 所示的串联等效电路常常是 2 　测量原理 更方便的,其中 R ′为表观串联电阻 , C ′为表观电 S S 一般情况下 ,pn 结二极管可以看做是由结 ( ) ( )