电子技术（第一版）第五章集成稳压电源与可控整流电路.pptVIP

集成稳压电源与可控整流电路 （a）结构图 （b）等效电路 （c）符号 图5-20单结晶体管 集成稳压电源与可控整流电路 （2） 单结晶体管的伏安特性 图5-20为单结晶体管的伏安特性uE＝f(iE)。 图5-21 单结晶体管的伏安特性 集成稳压电源与可控整流电路 当uE很小时，PN结截止，UA＝UBB（Rb1／Rb1＋Rb2）： a.uE从0→UP的过程，e、b1间不导通，iE≈0，因为uE＜UA，PN结反偏，这是图5-21特性的ab段。 b.当uE≥UP时，PN结导通，iE突然增大，相当于e、b1间电阻Rb1忽然变小，这个电压UP称为峰值电压（图中为12.7V），对应电流为峰值电流IP（为微安数量级）。 c.继续增大电压uE，过了b点，iE上升，uE反而下降，这种现象叫做负阻特性，如图5-21的bc段特性所示。到了c点，负阻特性结束，恢复iE↑，uE↓的关系，c点的电压Uv称为谷点电压（图中为3V），对应电流为谷点电流IV（图中为9mA）。 集成稳压电源与可控整流电路 d.若此时将外加电压U降低，当uE＜UV后，电路又迅速恢复阻断状态，PN结截止，IE≈0。 按照上述分析，图5-21的特性可划分为三个区域，即截止区、负阻区及饱和区（该区uE变化不大）。 （3）单结晶体管的主要参数 除了峰值电压UP和谷点电压Uv外，单结晶体管的另一重要参数就是分压比η。从图5-20可知，当b1、b2间加有电压UBB后，在等效电路中若不计PN结压降UD，则A点电压为： 式中η称为分压比，一般为0.3～0.9。 集成稳压电源与可控整流电路 5.3.1.2 单结晶体管的自激振荡电路 我们可以利用单结管的负阻特性构成自激振荡电路，产生控制脉冲，用以触发晶闸管。图5-22就是一个典型的产生触发脉冲的电路和它的波形图，图中，利用电容C上的电压uC控制单结晶体管的 。 由图5-22（a）可见，当接通电源U后，电容C就开始充电， （即uC）按指数曲线上升。当 时，单结管的发射极电流iE≈0，所以R1两端没有脉冲输出。 集成稳压电源与可控整流电路 图5-22 单结管振荡电路及波形 集成稳压电源与可控整流电路 当 上升到 时，iE↑↑，单结管全导通，于是电容器上电压 就迅速地通过R1放电，故R1便输出一个脉冲去触发晶闸管。放电结果 下降，到 ≤Uv（谷点电压）时，单结管便又截止。iE＝0，R1上触发脉冲消失。紧接着电源又向电容C充电，重复上述过程。单结管自激振荡输出的触发脉冲波形如图5-22（b）所示，若充电电阻R用可变电阻取代，则晶闸管得到的是频率可调的尖脉冲。 集成稳压电源与可控整流电路 图5-13 晶闸管的外型和符号 集成稳压电源与可控整流电路 图5-14 晶闸管的内部结构图 图5-15 晶闸管的等效电路 集成稳压电源与可控整流电路 （2） 晶闸管的工作原理 图5-16 晶闸管的工作原理 集成稳压电源与可控整流电路 a.晶闸管加阳极负电压- 时，J1和J3处于反向偏置,管子不导通,处于反向阻断状态。 b.晶闸管加阳极正电压 ，控制极不加电压时，J2处于反向偏置,管子不导通,处于正向阻断状态。 c.晶闸管加阳极正电压 ，晶体管VT1和VT2都承受正常工作的集射电压,同时也加控制极正电压 ，VT2具备放大条件而导通，流入VT2的基极电流 （即IG）被放大后产生集电极电流?2 ，它又作为输入VT1的基极电流 ，又经VT1放大后产生VT1的集电极电流?1?2 ，这个电流又反馈入VT2的基极，再一次得到放大，如此循环不止，很快地，两个管子都饱和导通,晶闸管导通。 集成稳压电源与可控整流电路 d.晶闸管一旦导通,控制极就失去控制作用,管子依靠内部的正反馈始终维持导通状态。要使导通的晶闸管截止，必须将阳极电压降至零或为负，或使晶闸管阳极电流减小到小于一定数值 ,导致晶闸管不能维持正反馈过程,管子将关断, 称为维持电流。 综上所述，可得如下结论： a.晶闸管与硅整流二极管相似，都具有反向阻断能力，但晶闸管还具有正向阻断能力，即晶闸管正向导通必须具有一定的条件：阳极加正向电压，同时控制极也加正向触发电压。 b.晶闸管一旦导通，控制极即失去控制作用。要使晶闸管重新关断，必须至少具备以下条件之一：一是将阳极电流减小到小于维持电流 ；二是将阳极电压减小到零或使之反向。 集成稳压电源与可控整流电路 5.2.1.2 晶闸管的伏安特性和主要参数 （1）晶闸管的伏安特性