13半导体三极管.pptVIP

1.3 半 导 体 三 极 管 1.3.1 三极管的结构及符号 半导体三极管又称晶体三极管（下称三极管），一般简称晶体管，或双极型晶体管。它是通过一定的制作工艺，将两个PN结结合在一起的器件，两个PN结相互作用，使三极管成为一个具有控制电流作用的半导体器件。三极管可以用来放大微弱的信号和作为无触点开关。 三极管从结构上来讲分为两类：NPN型三极管和PNP型三极管。图1.17所示为三极管的结构示意图和符号。 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 三极管制作时，通常它们的基区做得很薄（几微米到几十微米），且掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则比较高；集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。 三极管可以是由半导体硅材料制成，称为硅三极管；也可以由锗材料制成，称为锗三极管。 三极管从应用的角度讲，种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。常见的三极管外形如图1.16所示。 1.3.2 三极管的电流放大作用 要实现三极管的电流放大作用，首先要给三极管各电极加上正确的电压。三极管实现放大的外部条件是：其发射结必须加正向电压（正偏），而集电结必须加反向电压（反偏）。 1.实验结论 为了了解三极管的电流分配原则及其放大原理，首先做一个实验，实验电路如图1.18（a)所示。在电路中，要给三极管的发射结加正向电压，集电结加反向电压，保证三极管能起到放大作用。改变可变电阻Rb的值，则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，电流的方向如图中所示。 实验数据： IB/mA -0.01 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 IC/mA 0.01 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91 IE/mA 0 0.01 0.57 1.16 1.77 2.37 2.96 由实验及测量结果可以得出以下结论。 （1）实验数据中的每一列数据均满足关系： IE=IC+IB 此结果符合基尔霍夫电流定律。 （3）对表1.4中任两列数据求IC和IB变化量的比值，结果仍然近似相等，约等于50。 （4）从表1.4中可知，当IB=0（基极开路）时，集电极电流的值很小，称此电流为三极管的穿透电流ICEO。穿透电流ICEO越小越好。 2.三极管实现电流分配的原理 上述实验结论可以用载流子在三极管内部的运动规律来解释。图1.18(b)为三极管内部载流子的传输与电流分配示意图。 （1）发射区向基区发射自由电子，形成发射极电流IE。 （2）自由电子在基区与空穴复合，形成基极电流IB。 （3）集电区收集从发射区扩散过来的自由电子，形成集电极电流IC。 3.结论 （1）要使三极管具有放大作用，发射结必须正向偏置，而集电结必须反向偏置。 （2）一般有β1；通常认为β≈β。 （3）三极管的电流分配及放大关系式为： IE=IC+IB IC=βIB 1.3.3 三极管的特性曲线及主要参数 1.三极管的特性曲线 三极管的特性曲线是指三极管的各电极电压与电流之间的关系曲线，它反映出三极管的特性。它可以用专用的图示仪进行显示，也可通过实验测量得到。以NPN型硅三极管为例，其常用的特性曲线有以下两种。 （1）输入特性曲线 它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实验测得三极管的输入特性曲线如图1.20(a)所示。 （2）输出特性曲线 它是指一定基极电流IB下，三极管的集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。实验测得三极管的输出特性曲线如图1.20(b)所示。 一般把三极管的输出特性分为3个工作区域，下面分别介绍。 ① 截止区 三极管工作在截止状态时，具有以下几个特点： （a）发射结和集电结均反向偏置； （b）若不计穿透电流ICEO，有IB、IC近似为0； （c）三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。 ② 放大区