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第 卷 第 期9 2 中 国科 技 论 文 Vol.9 No.2
年 月
2014 2 CHINASCIENCEPAPER Feb.2014
本征晶格缺陷对犅犖犜铁电薄膜光响应性能的影响
李 静,王金斌,钟向丽,李 波,郭道友,张克栋,王 芳
(湘潭大学材料与光电物理学院,湖南湘潭411105)
摘 要:用溶胶 凝胶法在 / 衬底上制备 ( )铁电薄膜,研究了退火气氛和退火温度对 薄膜的光
YSZ Si Bi Nd Ti O BNT BNT
3.15 0.85 3 12
响应性能的影响。对不同退火气氛和退火温度下的BNT薄膜进行微观结构和光响应性能表征。研究结果表明:随着退火气氛
中氧含量的降低,光响应增大, 薄膜中氧空位起到了为光生载流子传输提供通道的作用;随着退火温度的降低,光开启电压
BNT
和饱和光电导增大, 薄膜中高密度的晶界虽然阻碍了光生载流子的迁移,却有利于使光生载流子在晶界处及时分开。
BNT
关键词:铁电薄膜;退火;微观结构;光响应
中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( )
O484.4 A 2095 2783 2014 02 0243 04
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