ZnO压敏陶瓷缺陷结构表征及冲击老化机理研究.pdfVIP

物 理学报 ActaPhys．Sin．Vo1．61，No．15(2012)1531o3 ZnO压敏陶瓷缺陷结构表征及冲击老化机理研究串 赵学童 李建英十李欢 李盛涛 (西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安 710049) (2011年 11月3O日收到；2011年 12月31日收到修改稿) 对多元 ZnO压敏陶瓷电阻片进行了多达 14000次的大电流冲击老化试验，通过显微结构、电气性能及介 电特 性的测量对其缺陷结构进行了表征，并研究了缺陷结构与大电流冲击老化之间的关系．试验表明多次大电流冲击 老化导致试样的电气性能明显下降，发现ZnO压敏陶瓷的几何效应不仅受控于晶粒还与晶界密切相关．另外，通过 介电谱分析观察到ZnO压敏陶瓷存在四种缺陷弛豫过程，低温 -60。C下的两个缺陷弛豫峰激活能约为 0．24eV 和0．35e 认为它们分别对应着本征的锌填隙缺陷L(Zn~)‘和氧空位缺陷 ( )并且不受冲击老化的影响．高 温 80。C以上两个松弛峰的活化能约为0．71eV和0．84e 认为它们分别对应着非本征的晶间相电子陷阱L(ingr)和 晶界处界面态陷阱L(gb)．发现大电流冲击后，仅界面态陷阱激活能从 0．84eV降低到0．76eV,认为界面态陷阱主要 控制着 ZnO压敏陶瓷的电气性能和稳定性． 关键词：ZnO压敏陶瓷，缺陷结构，冲击老化，压敏 电压 PACS：31．15．es，72．20．一I，73．40．1 84．32．Ff 本征的氧空位缺陷与其老化过程密切相关，而Lee 1引 言 等人 1【1]通过深能级瞬态谱 (DLTS)发现ZnO压敏 陶瓷中存在着三种缺陷弛豫，并认为氧空位缺陷 ZnO压敏陶瓷是一种多晶半导体器件，它逐渐 与其老化没有关系．目前，对 ZnO压敏陶瓷的缺陷 发展成为 电力系统用避雷器、电子线路用压敏 电 结构还没有完全认识，缺陷结构与老化性能的关 阻器和片式ZnO压敏 电阻器、防雷用浪涌抑制器 系还存在很大的争议．因此，研究ZnO压敏陶瓷的 等电力设备和电子元器件的核心材料 [1-3】．ZnO 缺陷结构及其与大电流冲击老化的关系具有重要 压敏陶瓷是一种 n型半导体，通常认为在烧结过程 的意义． 中，有两种缺陷结构形成，即由于 Zn和 0的非化 本文在充分研究ZnO压敏陶瓷 电性能的基 学计量比导致的本征缺陷和掺杂作用形成的非本 础上，对老化前后 ZnO压敏陶瓷试样在 一l60_ 征缺陷 4【—61．在室温下，Levinson等人 [7】通过介 电 200oC，0．1～100Hz范围内进行介 电性能的测量， 谱在 105Hz处发现 ZnO压敏陶瓷的一个典型的 发现在高温区还存在着两种缺陷，认为它们分别对 缺陷弛豫损耗峰，该弛豫损耗峰对应的频率位置与 应着 ZnO压敏陶瓷的非本征的晶间相 电子陷阱和 压敏陶瓷的具体配方和工艺过程无关，因而该弛豫 界面态 电子 陷阱．其 中，晶间相 电子陷阱能级不受 损耗峰被称为特征损耗峰．成鹏飞等 [8，9]等在低 冲击老化影响，而界面态陷阱能级随冲击老化下降， 温 -100。发现了ZnO压敏陶瓷中存在两种缺陷弛 通过交流电导谱进一步验证了界面态陷阱能级主 豫峰，通过计算它们对应的激活能级和热刺激 电流 要控制着 ZnO压敏陶瓷的电气性能和稳定性．本 实验证实了它们为ZnO压敏陶瓷的本征锌填隙和 文对不同体系ZnO压敏陶瓷及其他陶瓷介质缺陷 氧空位缺陷．Rohatgi等 1【0]发现 ZnO压敏陶瓷中 结构的研究都有