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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 20 (2013) 208801
非晶硅锗电池性能的调控研究*
†
刘伯飞 白立沙 魏长春 孙建 侯国付 赵颖 张晓丹
( 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300071 )
( 2013年6月13 日收到; 2013年7月26 日收到修改稿)
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 研究了非晶硅锗薄膜太阳电池. 针对非晶硅锗薄膜材料的本身特性,
通过调控硅锗合金中硅锗的比例, 实现了对硅锗薄膜太阳电池中开路电压和短路电流密度的分别控制. 借助于本征
层硅锗材料帯隙梯度的设计, 获得了可有效用于多结叠层电池中的非晶硅锗电池.
关键词: 非晶硅锗薄膜太阳电池, 短路电流密度, 开路电压, 带隙梯度
PACS: 88.40.hj, 88.40.jp, 68.55.−a, 61.43.Dq DOI: 10.7498/aps.62.208801
a-SiGe:H 材料本征层的锗硅比的调控, 以及对本征
1 引言 层带隙分布等进行设计, 有效提高了单结非晶硅锗
电池在中间电池吸收波段的响应, 同时保证电池具
氢化非晶硅锗合金(a-SiGe:H) 由于其具有可 有高的开路电压以及填充因子.
调变的光谱吸收特性而被广泛应用于三结叠层电
池的中间电池和底电池. 锗的掺入可有效降低氢 2 实验
化非晶硅(a-Si:H) 材料的带隙, 通过调节锗硅掺入
1 本文所有系列样品都在辐射型多功能薄膜沉
比, 其光学带隙在 1.1—1.8 eV 范围可调 , 相比于
a-Si:H, a-SiGe:H 的长波吸收系数更高. 应用于电池 积系统(Cluster CVD) 中制备. 实验腔室的本底真
上可以增强其长波区域大于600 nm 的吸收, 从而 空都保持 10−6 量级. 电池结构为Glass/TCO/(p)a-
拓宽对太阳光谱的响应. SiC:H/buffer/a-SiGe:H/ buffer/(n)a-Si:H/Al. 电池P, I,
2 N 三层均采用RF-PECVD 技术制备. 本征层采用的
目前, 世界纪录的硅薄膜叠层太阳电池 的
基本结构是非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层电池. 制备气体为锗烷(GeH )、乙硅烷(Si H ) 气体和氢
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对于微晶硅底电池的研究已经进行得较为深入, 获 气, 热蒸发Al 制备背电极, 电池面积为0.253 cm .
得了较好的结果3−6 , 但中间非晶硅锗薄膜太阳电 本征层锗含量采用X 射线荧光光谱(XRF) 测
池的研究国内报道还很少. 为了实现高效率的硅 试获得, 所采用的测试设备是Panalytical PW2403
基薄膜太阳电池, 对中间非晶硅锗电池光谱响应
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