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摘 要
山于超顺磁效应的限制,使用传统的CoCr基薄膜介质的硬磁盘系统记
录潜力已经发挥到了极点,要想继续提高磁记录系统的记录面密度,必须探
寻新的材料。本论文主要研究了FePt薄膜作为下一代垂直磁记录介质的可行
性。由于化学有序的fct—FePt相具有高单轴磁晶各向异性能(7×10
7erg/cm3),
允i午把晶粒尺寸降低到几个纳米左右,同时保持足够的热稳定性,从两可以
获得更小的记录信息单元,以实现更高的记录密度。
本沦文主要围绕着两个问题展丌:第一部分是致力于降低FePt和
变温度为500。C~600。C,目前的磁盘生产线都不能承受如此高温,因此降低
FePt相的有序化温度就变得非常重要。我们通过在溅射过程中添加N2和原位
有序两种方法在一定程度上降低了FePt相的有序化温度,主要得到了以下结
果:
序化温度降低了100℃左右,并且薄膜的织构从原来的(111)织构转
变为杂乱取向。结构分析表明热处理过程中N原子的释放在薄膜中
形成了大量的空穴,这有利于FePt相的有序化。
2)原位有序制各的FePt薄膜其有序化温度可以降低到250℃左右,
5v01.%)薄膜的有序化温度为400。C左右,这两个温度比
FePt-A1203(1
热处理的方法的有序化温度低200℃左右。
左右,已经达到了超高密度垂直磁记录介质的要求,然而FePt晶粒
大小分布需要进一步改善。
使用的溅射装置的靶到基片的问距较小有关,从而低气压下被溅射
的原予在到达基片时具有较高的能量,这部分能量有助于薄膜的低
温有序化。
第二部分主要致力于制备垂直取向的FePt薄膜,讨论了它们作为垂直磁
记录介质的可行性。由于垂直磁记录技术要求磁记录介质薄膜中晶粒的易磁
化方向垂直于膜面,对于FePt薄膜来说,即具有(001)取向。我们在本论文中
采用Cr(W)衬底层再1][Fe/Pt]。多层两种方法制备了垂直取向的FePt薄膜,主要
结论如下:
构。
2)使用5nm的Mo中间层,有效地抑制了FePt层和Cr衬底层之间的
得到了较好的(001)择优取向的FePt薄膜。
转变,当衬底层中w含量为15at.%时,得到了较强的(001)织构的
FePt薄膜。
41在温度为500。C的基片上采用交替沉积的FePt薄膜表现出较强的
的薄膜表现出最强的(001)织构,进一步热处理可以增强(001)织构。
(001)织构的出现与起始层的织构及热处理过程中晶粒的长大有关。
理后FePt晶粒长大,减小了晶粒边界对畴壁位移的钉扎,从而薄膜
反磁化过程表现出更加明显的成核场机制。
本论文在降低FePt相的有序化温度和制备垂直取向的FePt薄膜方面取
下一代超高密度垂直磁记录介质的潜力。
Abstract
Theareal ofharddiskdrive traditionalCoCr—basedthin
density using films
mediacannotbeelevatedfurther
becauseofthe effect.In
super-paramagnetism
orderto areal
increasethe in studiesof
densitymagneticrecordingsystem,the
new mediamaterialsare dissertationhas
magne
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