干涉型铌酸锂基集成光开关研究.pdfVIP

y600068 摘要 随着光电子系统的复杂性不断增加，单模元件以及它们之间的互联在整个系统总成本中占越来 越大的比例，迫切需要采用光子集成技术(PIC)来提高系统性能和降低成本。在近十年中，光电 子基础工艺取得了若干关键进展，这为PIC技术的发展奠定了基础。波分复用(WDM)技术、密 术是根本无法实现的。 集成光开关是一种具有一个或多个可选输出端口，可对光传输线路进行相互转换的器件。光开 及光信号处理中有着重要的应用，主要起着光交叉互联、光上下路复用(OADMs)和光信号监视 等作用。在各种光开关中，热光开关列阵、微机械光开关列阵、液晶光开关以及气泡式光开关列阵 由于集成度较大，因而将是大规模阵列光开关的发展方向。而铌酸锂电光光开关、电光聚台物光开 关等，则将是高速光开关的发展方向。 本论文研究了干涉型铌酸锂基光开关器件。其目的是通过合理、有效的器件设计和对制作工艺 的改进，实现结构较新颖、器件性能优良的集成光学器件。 LiNbO。是由来已久的波导类器件的材料，LiNbOa材料能实现较高的调制速度和较低的调制电 压，材料成本低，工艺相对简单，是较成熟的技术，目前在高速光网络和光信号处理网络已经有着 重要的应用。铌酸锂的无隔离层X切电板结构有最小的半波电压，其大小约为z切器件的70％。虽然 其调制速度较低些，但是对于光开关设计要求而言，几十DS的开光速度已经足够。因此本文选择了 无隔离x切衬底的调制结构，以实现尽可能低的半波电压长度乘积。经过模拟分析和比较，选择Y 分叉平衡桥路干涉型光开关结构。该结构具有调制电压低、所需电极组数少和器件长度较短的特点。 是实现1×2光开关的晟佳选择。 通过设计上的优化和工艺制作上的改进，实现了较好的器件性能。克服了铌酸锂光开关制作过 程中Ti扩散工艺、Ti膜提浮工艺、电极套刻和抛光工艺等难题，为进一步进行铌酸锂器件的研究打 下了坚实的基础。 ABSTRACT the of the ofthe of With single systems，theproportion complexityopto-electronic increasing inthe is usto device’scostS increasing，iturge adoptphotonicsintegrationcircuit(PIC) system to the anddecreasethecostsofthe recentten technologyimproveperfbmlatlce systems．In years，the have these insomeessentialfabrication obtained,and technology greatprogresses ofopto-electronics ofPIC ofWDM DWDM makethe bases technology．The technology,especially firmly progress the ofPlC those PIC