纳电子器件谐振隧穿二极管（RTD）的研究.pdfVIP

摘 要 本文介绍了一种纳米电子器件：谐振隧穿二极管(RTD)，它是一种新型 GaAs衬底二端口器件，具有高速和双稳态两大特性。纳电子器件RTD利用了新 的谐振隧穿传输机理，使器件的开关速度达到几个ps，它具有速度快，功耗 低，完成特定功能减少电路的复杂性等特点。在传统CMOS器件逐步趋近于尺寸 限制之际，包括RTD等的纳电子器件将越来越显示出其重要性。 本文详细介绍了谐振隧穿二极管的工作原理及其设计。我们在理论上对双 垒单阱结构进行了分析，详细讨论了超晶格层对器件特性的影响，并在此基础 上进行设计，制作和测试，并对测试结果进行了分析。同时还介绍了空气桥工 艺的RTD和改性的RTD，也介绍了几个以RTD为基础的电路。 厂1 ／一≮主要的研究成果如下： t 二极管，具有较高的电流峰谷比(PVCR)，室温达到7．6：1；较好的频率特 性，最高振荡频率为54GHz；并系统地总结出有关RTD的设计理论和实践经 验。 2．对RTD的温度效应进行了测量和定性分析；对“表观正电阻”的现象进 行了分析研究；总结和研究了RTD开关时间的估算方法。 3．把RTD具有物理意义的电流．电压方程通过PSPICE的电压控制电流源建 立起直流模型。为了分析其交流特性，建立了用于电路模拟的RTD交流小信号 模型，并利用PSPICE电路模拟软件着重模拟分析了其交流特性，模拟结果与 实验数据吻合的较好，验证了这种方法的正确性。 4．对改性材料的RTD进行了研制，并取得了初步结果。 ＼，_一 5．设计了带栅极的RTD(GRTD)的结构、版图及工艺。／ ∥ 关键词： 纳电子器件 谐振隧穿二极管 双垒单阱 负微分电阻 ABSTRACT This introducesanano—electroniCSdevice：Resonant diode．ItiS Paper Tunneling anew GaAs with basedevicetwo two terminals．withcharacteristicsof type high and bistable iSoneofnanoelectronicsemiconductor speed state．RTD，which devices， utilizesanovel resonantand mechanismthatallows tunnelingtransport picosecond device hasthe main and switchingspeeds．It advantages：lowerhigh- following power circuit for a funct