化学超声水浴沉积法制备CdSe薄膜及其性能的研究.pdfVIP

第 9卷第 1期 纳米加 工工艺 Vo1．9No．1 2012年 2月 Nano—processingTechnique February2012 化学超声水浴沉积法制备CdSe薄膜 及其性能的研究 张志乾 ，武光明 ，高德文 ，朱艳英。，曹阳 ，周洋 (1．北京化工大学，北京 100029) (2． 北京石油化工学院，北京 102617) 摘 要：~XCdC122·．5H：O为镉源，NazSeSO为硒源，柠檬酸钠为络合剂，采用化学超声水浴沉积 法制备了CdSe薄膜，用XRD、UV—Vis、SEM等方法进行表征，结果表明，所制备的薄膜为n型半 导体，在可见光区有一定的吸收，可以获得较好的光电流。应用化学超声水浴沉积法制备CdSe 薄膜的优化条件为：络合剂比例1：1．5、镉与硒浓度 比例2．5：1、PH值1O、沉积时间2．5h、退火温 度350 。 关键词：CdSe薄膜；超声波；光电性能；化学水浴沉积法 PreparationofCdSeSemiconductorFilmsbyCultrasonicalChemical bathDepositionM ethodandResearchonitsProperties ZHANGZhi-qian ，WUGuang-ming2，GAODe-wen ，ZHUYan—ying， CAOYang，ZHOUYang (1．BeijingUniversityofChemicalTechnology，Beijing 100029，China) (2．BeijinginstituteofPetrochemicalTechnoloyg，Beijing 102617，China) Abstract：TakechemicalbathdepositionmethodtosynthesizeCdSefihns，withCdCI2·2．5H2O andNa2SeSO3aspreeur— sors，andtrisodium citrateascomplexingagent．ThefilmswerecharacterizedbyXRD，SEM，UV-Vis．Theresultsshowed thattheCdSefilmswasn—typesemiconductor，hadabosorptioninthevisibleregion，andcouldgetgoodphotocurrent． OptimalconditionforpreparingtheCdSethinfilmswasthattheproportionoftheCd2 andtrisodium citratewas1：1．5， theproportionoftheCd“andSe was2．5：1，thePH valuewas10，thedepositiontimewas2．5h，theannealingtempera- turewas350oC． Keywords：CdSefilms；ultrasonic；opticalandelectricalproperties；chemicalbathdeposition 生图 呈；04堡 拯 ； 童绚呈；昼 二 1 Q ) 二 56-05 O 引言 功能器件以及生物医学等方面有着广阔的应用前 景l1I，其中CdSe纳米晶具有与太阳光谱中可见光 半导体纳米粒子由于其特有的物理和化学性 波段相适宜的带宽，被用于制作高效发光设备 质，如量子尺寸效应 、介电限域效应等，在光电 (LED)、异质结构太阳能电池和光电化学电池。