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2006-7-12 半导体基本知识 JOHNE 半导体材料的特征 自然界的物质，按其导电强弱，一般可分为三大类，即导体、半导体和绝缘体。容易导电的物质称为导体，如金、银、铜、铝等各种金属与合金都是良导体，它们的电阻率一般在10–4欧姆·厘米以下。不容易导电的物质称为绝缘体，如橡胶、玻璃、陶瓷和塑料等，它们的电阻率在109欧姆·厘米以上。顾名思义，半导体的导电性介于导体和绝缘体之间。它具有如下的主要特征。 （l）杂质影响半导体导电性能 在室温下，半导体的电阻率在 10–4～109欧姆·厘米之间。而且，加入微量杂质能显著改变半导体的导电能力。掺入的杂质量不同时，可使半导体的电阻率在很大的范围内发生变化。另外，在同一种材料中掺入不同类型的杂质，可以得到不同导电类型的材料。 （2）温度影响半导体材料导电性能 温度能显著改变半导体的导电性能。在一般的情况下，半导体的导电能力随温度升高而迅速增加，也就是说，半导体的电阻率具有负温度系数。而金属的电阻率具有正温度系数，且随温度的变化很慢。 （3）有两种载流子参加导电 在半导体中，参与导电的载流子有两种。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中则仅靠电子导电，而在电解质中，靠正离子和负离子同时导电。 （4）其它外界条件对导电性能的影响 半导体的导电能力还会随光照而发生变化。例如一层淀积在绝缘基板上的硫化镉薄膜，其暗电阻约为数十兆欧，当受光照后，其电阻可下降到数十千欧。这种现象称为光电导效应。此外，半导体的导电能力还会随电场、磁场、压力和环境的作用而变化，具有其它特性和效应。 半导体材料的类别 元素半导体 元素周期表中, 已经知道有十来个元素具有半导体性质，其中，形态稳定、工艺成熟的只有硅、锗、硒三种。硅具有优良的半导体性质，是现代最主要的半导体材料，已在晶体管、集成电路及其它器件中大量使用。锗也具有良好的半导体的性质，是重要的半导体材料之一。硒的半导体性质发现得很早，用于制作整流器、光电导器件等。其它元素半导体都还未获得实际应用。 化合物半导体 化合物半导体可分为无机化合物半导体和有机化合物半导体两种。有机化合物半导体仍处研究探索阶段，一般所说的化合物半导体指无机化合物半导体。无机化合物半导体由两种（二元系）或多种（多元系）元素组成。由III族和V族元素组成的III-V族化合物半导体GaAs是应用最广的化合物半导体，用于制作微波器件、激光器和集成电路。其它如InP、AlP、GaP、InAs、InSb等III-V族化合物半导体，ZnS、CdS、ZnSe、HgSe等II-VI族化合物半导体、IV-IV族化合物半导体材料SiC等都有一定的应用。多元系化合物半导体用途较少。 固溶半导体 由两个或两个以上具有足够含量的的元素构成的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。半导体材料中提纯残留的杂质和有意掺入的杂质与本体材料也形成固溶体，但因这些杂质的含量很低，在半导体材料的分类中不属于固溶半导体。另一方面，固溶半导体又与化合物半导体有区别，后者是靠其价键按一定化学配比构成，而固溶体组成元素的含量在其固溶度范围内可连续变化，其半导体及有关性质也随之变化。利用固溶半导体的这一特点可得到性质多样的半导体材料以满足不同的应用要求。主要的固溶体半导体有：元素固溶体Ge-Si，III-V族固溶体Ga1-xAlxAs，II-VI族固溶体HgxCd1-xTe等。 晶体与非晶体 自然界的物质最常见的形态有气态、液态和固态。固态或称固体，又可分为晶体和非晶体。晶体和非晶体的内部结构和物理、化学性质有本质的区别。玻璃、松香和橡胶等是非晶体；锗、硅等半导体芯片材料，铜、铁、铝等金属，以及石英、食盐、金刚石等是晶体。 晶体区别于非晶体的主要特征有以下方面： 1 晶体通常具有规则的几何形状 如食盐晶体为立方体，石英晶体为六方柱体等；而玻璃、橡胶等非晶体就没有规则的外形。 2 晶体具有固定的熔点 晶体在熔化或凝固过程中，保持确定不变的温度，这一温度称为晶体的熔点。只有当晶体全部熔化或全部凝固后，它的温度才发生变化。而非晶体则没有确定的熔点。 3 晶体具有各向异性性 晶体的机械、电学、热学、光学等物理和化学性质随其方向不同而不同，非晶体的物理、化学性质则是各向同性的。 以上特征是从外部宏观地来进行分析的，晶体与非晶体的差异由其内部结构不同所决定。晶体内部原子排列高度规则，具有一定的刚性和对称性．非晶体则是一种无定形结构。一般说，由原子或离子有规则的周期性排列构成的固体材料称为晶体。 多晶体和单晶体 晶体有多晶体和单晶体之分。单晶体内的原子（或离子）都按同一规律周期性地排列。常用