实验29晶体管开关时间的测量.docVIP

晶体管开关时间的测量 晶体管开关时间是标志晶体管开关特性的一个极其重要的参数。当晶体管作为开关应用时，其开关时间将直接影响电路的工作频率和整机性能。 本实验通过测量双极性晶体管的开关时间，熟悉开关时间的测试原理，掌握开关时间的测试方法、研究测试条件变化对晶体管开关时间的影响。 一、实验原理 图1是典型的NPN晶体管开关电路，图中和分别为负载电阻和基极偏置电阻、-和+分别为基极和集电极的偏置电压。 如果给晶体管基极输入一脉冲信号，基极和集电极电流和的波形、如图2所示。 图1 晶体管开关电路示意图 图2开关晶体管输入.输出波形 当基极无信号输入时，由于负偏压的作用，使晶体管处于截止状态，集电极只有很小的反向漏电流即通过，输出电压接近于电源电压+。此时晶体管相当于一个断开开关。 当给晶体管输入正脉冲时，晶体管导通。若晶体管处于饱和状态，则输出电压为饱和电压，集电极电流为饱和电流。此时，晶体管相当一个接通的开关。 由图2可以看出：当输入脉冲加入时，基极输入电流立刻增加到、但集电极电流要经过一段延迟时间才增加到，当输入脉冲去除时，基极电流立刻变到反向基极电流，而集电极电流也经过一段延迟时间才逐渐下降。 在实际测量中，如果使用双踪示波器，观察的是输入电压和输出电压的波形，如图3所示。 晶体管开关时间参数一般是按照集电极电流的变化来定义： 延迟时间：从脉冲信号加入到上升到0.1。 上升时间：从0.1上升到0.9 存储时间：从脉冲信号去除到下降到0.9 下降时间：从0.9下降到0.1 其中+即开启时间、+即关闭时间，本实验所要测量的开关时间就是根据这个定义的开关时间，按这种定义方法测量开关时间比较方便。 当晶体管作为开关应用时，可以把晶体管看作是一个“电荷控制”器件，根据少数载流子连续性方程可以推导出电荷控制分析的基本方程 （1） 试中是存储在基区中电子的总电荷，是基区中电荷寿命。 根据延迟时间的定义，在延迟时间内，发射结偏压将由-上升到微导通电压（约0.5V），集电结反向偏压由（+）减小到（-），这个过程是基极电流对发射结和集电结势垒电容充电的过程。与此同时，基区将逐渐形成少子的浓度梯度。根据电荷控制分析的基本方程（1）可以写出与延迟时间对应的电荷微分方程，经过变换、数学处理，最终可得到延迟时间 (2) 试中、分别为发射结和集电结的接触电势差，、对于突变结和线性缓变结分别为1/2和1/3。 在上升时间，基极驱动电流继续对发射结和集电结势垒电容充电，使发射结偏压由上升到导通电压（约0.7V），集电结反向偏差逐渐减小，使少子浓度梯度不断增加。此外，基极电流还要补充基区因复合而减少的电荷。与求延迟时间的方法类似，先写出与上升时间对应的电荷方程，进而可求得上升时间 （3） 存贮时间主要是基区、集电区超量存贮电荷消失，发射结、集电结电容放电的过程。由对应的电荷微分方程推导的存贮时间为 （4） 试中为存贮时间常数,对于的外延平面管，对于〈〈的外延平面管/2，这里和分别为集电区的少子寿命和扩展长度。 （5） 以上开关时间参数公式的详细推导见参考资料[1]。 由开关时间参数的表达式可以清楚地看到：开关时间既决定于、、、等晶体管本身的参数，也取决于、及等外部电路参数。势垒电容的充放电、电荷的存贮和消失是影响开关时间的内因，而外电路对晶体管的注入和抽取是影响开关时间的外因。因此，除晶体管的材料、结构和工艺参数以外，测试或使用条件将对开关时间带来显著的影响。本实验除了测量晶体管在一定测试条件下的开关时间，还要改变测试条件，测出开关时间的变化，和理论分析结果进行比较。 测量双极型晶体管开关时间的实验装置如图4所示。由于受输入脉冲前后沿的影响以及示波器频宽的限制，此装置只适用于测量开关时间较长的晶体管。 一般开关晶体管的开关时间都在毫微秒数量级。为了满足这一高速测试的要求，晶体管、集成电路动态参数测试仪BJ2961采用了先进的数字化取样技术。全机由“测试盒电路”、“毫微秒脉冲单元”、“取样单元”、“摸数转换”及供电系统组成。可根据不同开关时间的部颁标准选用“测试盒电路”。图5即测试仪方框图。 图中毫微秒脉冲源的作用是提供被测晶体管的基极电流和，它采用脉冲头的输出方式直接与测试盒连接，这样不仅减少了脉冲波形的畸变而且提高了测试精度。脉冲源还将输出一个触发脉冲。在脉冲的触发下，“取样单元”与通过取样示波器一样，将通过A、B两个取样探头分别在测试盒中拾取脉冲源及被测器件的输出脉冲信号，并显示在示波器的屏幕上。同时，“取样单元”还将输出阶梯波信号、步进脉冲、门信号及A、B取样后通过输出信号等送至“摸数转换”单元进行数字处理，最后将各开关时间参数分别用数字显示出来。 二