电极表面ＴｉＢ〈，２〉薄膜改性后真空绝缘效果.docVIP

好环境气氛和冬工艺参数，尤其是溅射柬流能量，不但可以改变成膜性质、孔隙率、密度 和微结构脚。还可以使薄膜在村底表面上获得程度不同的、总的说来都根好的附着力．利 ● 用ＩＢＡＤ设备对阴极（球端面）表面改性，选择具有优良性能的ＴｉＢ：‘３２作为改性薄膜，在 完全可以对比的前提下，从电压维持幅度和对单次脉冲电源形成的负载程度上。阚有关检 测及处理过的数据研判其效果的优劣程度。  １  实验电极及脉冲放电波形捕获系统 真空间隙由半径为Ｒ的球面阴极和主尺寸为由４８Ｘ３ｍ的平扳阳极构成，所用材料为 真空熔炼不锈钢（００ｃｒｌ７Ｎｉｌ４№２，以下简写００ｃｒ）。按电真空零件的处理规范，表面清 洗和９００下真空除气．需镀膜（傲表面改性）的阴极再经ＩＢＡＤ法镀复一层厚于离能离 子穿透射程的、结合力足够的ＴｉＢ：膜层；再经真空高温除气．安装在高压真空绝缘实验 装置中的真空间隙，在单次脉冲高压作用下，放电电流信号流经位于低电压端的ｃＴｌ高 带宽电流探头（为５ｍｖｌｌｍＡ的转换比）送至ＤＳＡ６０２Ａ数字化信号分析仪．检测系统具 有单次脉冲信号高取样速率，宽显示范围和０，３５ｎｓ的上升沿不失真捕获能力．４０ｄｂ的高 带宽同轴衰减器在低压端串入．可换算出脉冲电流的实际最大值。图ｌ为ＴｉＢ：薄膜晶相 分析的ＸＲＤ图谱．从图Ｉ可以看出．在２ ｏ＝４４．４。和２ ｏ＝４３．５。处出现ＴｉＢ２（１０１）晶面 相对很强的衍射峰．说明薄膜为晶化程度很高的ＴｉＢ２晶化物。图２中的ｓＴ０５８０、ｓＴ０５８Ｉ ● 表示幅度分别为１７１Ｋｖ、１４８Ｋｖ时的脉冲电源开路下的单次脉冲电压波形。 Ｆ 备 一－‘ｕ＿＇萝－ＪＩｌ 品¨  ∞  圈１  柏 薯Ｉ●啄 ２号样品＝■化仕蓐囊的ｘ鼢豳  ，ｏ  ，气  圈２脉冲电源开路鞠出电压渡形舶  ２  实验结果与波形分析 ２．Ｉ薄膜的高温氧亿试验 对２号（３号搭袭镀ＴｉＢ２薄膜）样品及对比３号（纯ｉｃｒｌ８Ｎｉ９）样品表面去油、自 ● 来永、纯水冲净、酒糟脱水烘干后，用ＴＧ３２８Ｂ电光分析天平称重ｉ Ｓｘ一４—１０箱式电阻炉 （ＤＲＺ．４温控器）内加温．除塞温～５００傈温ｉ小时后，断电封闭炉门自然降温（历经１６ 小时后）到室温称重外，其余各温度下均只保温１５分钟．立即开启炉门取出称重。不同 温度下样品的氧化增重及各材质单位面积（未考虑厚度方向上的渗透氧化增重）氧化增重 结果见表１． 代。一