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硅 酸 盐 学 报
第38 卷第1 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 38 ,No. 1
2 0 1 0 年 1 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY January ,2010
常压化学气相沉积法制备二氧化钛薄膜的沉积工艺及薄膜均匀性
1 2 1 1
庞世红 ,王承遇 ,马眷荣 ,马振珠
(1. 中国建筑材料科学研究总院,北京 100024 ;2. 大连工业大学,辽宁 大连 116034)
摘 要:利用常压化学气相沉积法在浮法玻璃表面制备了二氧化钛薄膜。研究了水蒸气、氧气含量和衬底温度以及反应器与衬底的距离对薄膜制备过
程中沉积速率的影响。结果表明:当水蒸气质量浓度为50 mg/L 。氧气含量为总气体流量的8%时,薄膜的沉积速率可达30 nm/s ,随着衬底温度从300
℃升到600 ℃,薄膜的沉积速率从15nm/s 增加到30 nm/s ;然而随着反应器与衬底的距离从2 mm 增加到12mm ,薄膜的沉积速率从30 nm/s 降到10nm/s ,
但大面积薄膜层的厚度差从10nm 降低到2 nm ,薄膜比较均匀。
关键词:常压化学气相沉积;二氧化钛;沉积速率;薄膜均匀性
中图分类号:TB321 ;TG146.4 文献标志码:A 文章编号:0454–5648(2010)01–0064–04
DEPOSITION PROCESS AND UNIFORMITY OF TITANIUM DIOXIDE FILM PREPARED
BY ATMOSPHERE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
PANG Shihong 1,2 2 1 1
,WANG Chengyu ,MA Juanrong ,MA Zhenzhu
(1. China Building Materials Academy, Beijing 100024; 2. Dalian Polytechnic University, Dalian 116034, Liaoning, China)
Abstract: Titanium dioxide film was deposited on a float glass surface by an atmosphere chemical vapor deposition method. The
effects of the water vapor, oxygen concentration, substrate temperature and the distance between the reactor and the substrate on the
deposition rate were investigated. It is indicated that the deposition rate can be achieved up to a maximum value of 30 nm/s when the
water vapor concentration is 50 mg/L and the oxygen flux is 8% of the total gas flow. The deposition rate can be enhanced from 15 to
30 nm/s when the substrate temperature is increased from 300 ℃ to 600 ℃. Furthermore, when the distance between reactor and
substrate is
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