GaAs光电阴极缺陷特性的研究.pdf

硕上论文 GaAs光电阴极缺陷特性研究 摘 要 Y2062032必掣必螋 GaAs基片是制备三代微光像增强器光电阴极的主要材料，其质量对光电材料的量子 效率、分辨率等关键参数有着至关重要的影响，GaAs光电阴极的针孔瑕疵是其质量好坏 的最直观表现，且成因复杂，对GaAs光电阴极品质有重要影响。优质的GaAs外延材料 是实现激活高灵敏度阴极的先决条件，是提高像增强器成品率的关键所在。本课题针对 GaAs光电阴极缺陷进行理论研究，并运用数据库对G啦s的表面缺陷进行了数据分析， 揭示其内在联系，从而改进工艺，生产出性能更可靠的产品。 本文介绍了Gns光电阴极的制各及发展，结合GaAs光电阴极光电发射过程推导 了反射式和透射式光电阴极的量子效率，结合公式分析了影响量子效率的关键参数；结 合缺陷能级分析了复合中心、陷阱效应以及复合中心对电子寿命的影响；理论推导了俘 获截面对电子扩散长度和量子效率的影响，温度是影响俘获截面的关键因素；利用表面 结构模型，分析表面缺陷对电子亲和势、Cs／O激活模型的影响，得出对G诅s电子逸出 几率和量子效率的影响；利用数据库存储分析系统，有效分析了GaAs基片及光电阴极 缺陷数据的分布情况，总结其中的规律。 最后通过对课题工作的总结，分析了课题研究的不足并对以后的深入研究作了展 望。 关键词：光电阴极，电子捕获，微缺陷，俘获截面，数据分析 Abstmct 硕士论文 Abstract t0 of也etIlird GaAsslIbstrateisthemamma：terial producephotocamode generation to of intensifier，its innuenceme low-light—leVelimagequaJ姆haShportaIlt keypar啦eters aS a11dresolution．GaAs ma：terials，such optoelec们11ic qua砷哪e街ciency photocatllode defectthemostirnuitive ofthe haS onme pilllloleis perf-onnallcequal时砌chm萄oriInpact GaAS ithas complicated qual毋ofphotocamode，and oft11e me isme materialis for枷Vation ca也ode，it 印ita)【ial prerequisite lli曲sensi帆时of of is baSisto of device．rIktllis t11eoretical iIIlproveyieldimage硫ensifiertopic p印er the