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工业生产中清洗液温度对硅片颗粒度的影响
张倩 熊诚雷 齐旭东 史舸 崔小换
(洛阳麦斯克电子材料有限责任公司 洛阳 471009)
摘要:介绍了RCA清洗液组成、特点及原理;研究在不同温度下,RCA清洗的SC-1溶液对颗粒去除的影响,得出工业生产中较合适的清洗温度。
关键字:硅片; RCA清洗;温度;
Effect of cleaning solution temperature on wafer particle in manufacturering production
ZHANG Qian XIONG Chenglei QI Xudong SHE Ge CUI Xiaohuan
(MCL Electronic Material Co Luoyang 471009)
Abstract:The text mainly discuss the components、characteristic、principle of RCA clean.; research the effect of particle decrease when the SC-1 solution of RCA clean at different temperature, and get the preferable temperature in manufacturing production.
Keyword:wafer; RCA clean;temperature
引言
硅片因禁带宽度大(1.12eV),表面有结构稳定的SiO2钝化层,不易出现位错,原料充分等优点,是半导体器件和集成电路中使用最广范的基底材料[1]。硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。随着半导体工业的发展,对硅片表面的清洁度要求越来越高,清洗技术不断改进,清洗的步骤也逐步增加。在典型的有四层金属层的集成电路生产过程中约需经过40道清洗工艺[2]。本文对目前的RCA清洗工艺原理、特点进行了说明,并在抛光预清洗中温度的选取进行了实验。
2 清洗介绍
硅片清洗一般是先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除;然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷;最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化。
1965年KERN等人发米高了RCA清洗工艺,1970年发表并沿用至今;1979年Mayer等人发明兆声清洗,现如今大多采用两者结合的多槽浸泡式清洗系统[3]。
RCA溶液主要包括以下几种清洗液:
(1)SPM:H2SO4 (98%)/H2O2 (30%) 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。
(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。
(3)APM (SC-1):NH4OH(28%)/H2O2(30%)/H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
(4)HPM (SC-2):HCl(36%)/H2O2(30%)/H2O 20~85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。也有使用稀HCl溶液不添加H2O2 代替SC-2.
近年来研究最多的是APM溶液的改进,主要体现在浓度配比上,经过人们大量研究,认为氨水浓度必须也可以降低,最佳配比为NH4OH(28%):H2O2 (30%):H2O= 0.05:1:5[4]或0.25:1:5[5]。APM溶液大量应用在工业生产中。
目前RCA清洗几乎都增加有超兆声清洗。其作用机理是在硅片表面附近生成薄的声学边界层,当克里尺寸臂边界层小时,去除效果差。频率越低产生的空化效应越强但方向性差;频率高方向性强但空化效应弱,所产生的气泡冲击力就弱,造成清洗就弱。超声波清洗时
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