Al／AlOx／Al超导隧道结的制备工艺研究.pdfVIP

低温与超导 超导技术 Cryo．＆ Supercond 第41卷 第9期 Superconductivity Vo1．41 No．9 A1／A10x／A1超导隧道结的制备工艺研究 房玉荣，曹春海，许钦印，王林，张广涵，姚晓栋，许伟伟，孙国柱，吴培亨 (南京大学超导电子学研究所 ，南京 210093) 摘要：研究了在高阻硅衬底上At／A10／A1隧道结的制备技术 ，采用电子束蒸发制备At／A10／A1三层材料 ，湿 法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线 ，PECVD法生长绝缘层 (SiO)保护超导隧道结，RIE刻蚀上电极窗 口。 在400mK温度下测量了A1／AIO／A1隧道结样品，得到了较好的隧道结 ，一 曲线，能隙电压 为0．325mV，超导 临界电流 为 55nA，漏电流为5nA。 关键词：A1／A10／A1；超导隧道结；铝刻蚀 ；制备工艺 FabricationofhighqualityAI／AIO ／AlJosephsonjunctions FangYurong，CaoChunhai，XuQinyin，WnagLin，ZhangGuanghan，YaoXiaodong，XuWeiwei，SunGuozhu，WuPeiheng (ResearchInstituteofSuperconductorElectronics，NanjingUniversity，Nanjing210093，China) Abstract：A1／A10 ／A1tunneljunctionswerefabricatedonhighresistivitysiliconsubstrate．TheA1／AIO／A1layerswere depositedbyelectronbeam evaporation，andthebaseandtopelectrodesorcircuitconnectionlinesweredefinedbychemicalwet etching．Thetwolayersof A1weredepositedbyelectronbeam evaporationandthebarrierlayerwasfabricatedbydeliveringoxy- genafterthefirstlayerofA1wasdeposited．Insolationlayer(SiO2)waspreparedbyPECVDtoprotectjunctions，whiletopelec- trodewindowwasopenedbyRIE．WemeasuredA1／A10／A1tunneljunctionsamplesat400mK，andobtainedthepreferable，一 Vcurveoftunneljunction，whichshowsthatgapvoltageas0．325mV，criticalcurrent，cas55nAandleakagecurentas5nA． Keywords：A1／A10／A1，Superconductivitytunneljunction，A1一etch，Fabricationprocess 1 引言 结，但结区周围仅有铝的表面 自然氧化层，缺乏足 够的绝缘保护，另外此方案较难实现多层复杂电 路的叠加。方案 (2)虽然工艺相对复杂，但是结 铝和铌是制作超导器件和应用电路的常用材 区周围~1-~0的绝缘层可以很好地保护结，减小结 料 J。与超导材料铌相比，铝的超导转变温度 的漏电流，提高隧道结器件及电路的可靠性 ，此方 较低 ，为 1．2K，且具有较纯的超导态 。在绝对零 案常用来制备结面积大于两个平方微米的隧