GaN-MOCVD反应室的CFD数值模拟计算.pdfVIP

摘要 摘要 料和器件的技术，特别是在制备GaN基LED方面具有广泛的应用前景和市场需求。 MOCVD设备的反应室是核心部件，反应室设计的优劣直接关系到其所生长薄膜 的质量。利用计算机对反应室进行建模仿真研究，是研究反应室不可或缺的方法。 文中分析了设备的工艺参数和反应室几何结构对反应室内流场和温度场的影 响。研究发现，在一定范围内，增大入口速度、降低操作压强、设定适宜的基座 温度、保持合理的基座转速、增大入口面积、减小入口与基座的间距等，不仅可 以有效地抑制热浮力效应，同时也使基座表面的流动速度增大，从而使反应室内 的流场和温度场均匀分布；并对MOCVD设备的入口进气方式进行改进，以形成 稳定均匀的流场和温度场。 关键词：氮化镓啪C印数值仿真 ABSTRACT ABSTRACT chemical the vapor mostadvancdand Metal-organic deposition(MOCVD)is inthe ofsemiconductormaterialsand importanttechnologypreparation devices， inthe ofGaN—basedLEDhasawide of and especiallypreparation rangeapplications market reactorchamberisthecore ofthe demands．However,the component the of thereactorisbetterornotis relatedto design the equipment，whether directly film theMOCVD．Itisall method grown tomodeland quality by indispensable simulatethe reactor the this MOCVDreactor byusingcomputer．Indissertation,the chamberissimulatedand inthe2D analyzed numerical withthe of modeling help FLUENTcode． Howthedifferent and affectthe geometricprocess flowfieldandthe parameters fieldintheMOCVDreactorisstudie