Bi系层状铁电薄膜BTO和SBTO结构和性能的研究.pdfVIP

摘 要 进入上世纪90年代以后，随着微电子技术和计算机工业迅速发展，具有高存 取速度和存储密度、抗辐射、不挥发等特点的铁电薄膜存储器（FeRAM）受到了人 们的广泛关注。近年来，Bi 系层状铁电氧化物（Bismuth Layer-Structured Ferroelectrics—BLSFs ）以其优良的抗疲劳特性得到了广泛的关注。 本文选择 Bi Ti O （BTO ）和Sr Bi Ti O （SBTO ）为研究对象。采用脉冲激 4 3 12 2 4 5 18 光沉积法（pulsed laser deposition, PLD ）制备薄膜。为了与传统的半导体工艺相集 成以及降低成本，本文选择商业化基片Pt/TiO /SiO /Si为衬底，生长BTO和SBTO 2 2 薄膜，并尝试改善其性能。 首先制备出了 BTO 和 SBTO 的靶材，并研究出在Pt/TiO /SiO /Si 基片上 BTO 2 2 和 SBTO 薄膜的最佳生长工艺参数。 其次，针对铁电存储器应用的最关键技术指标疲劳特性产生的两种机制，本 文在与半导体工艺相集成采用 Pt/TiO /SiO /Si 基片前提下，采取在 Pt 电极上再 2 2 生长一层导电氧化物（SrRuO (SRO) 、LaSrCo O (LSCO) 、LaNi O (LNO) ）做复 3 3 3 合电极的方法来改善其性能。结果表明这一层的导电氧化物电极改变了薄膜生长 的取向：从直接在Pt 电极上的c 轴取向变为非 c 轴取向。使 BTO 薄膜的极化得到 了增大，并减小了矫顽电场，而疲劳特性更是得到了显著的提高。 最后本文还研究了SBTO在氧化物电极上的电性能，结果表明 SBTO 有着很好 的极化和疲劳特性，是一种很有应用价值和前景的铁电存储器材料。 关键词：BTO ，SBTO，铁电存储器，氧化物电极，极化强度，疲劳特性 I ABSTRACT In the 90’s of 20 century, with the quick development of microelectronics and computer industry, ferroelectric memory has attracted much attention due to its high density, fast read-write speed, non-volatile characteristics and radiation hardness. Recently, Bismuth Layer-Structured Ferroelectrics (BLSFs) have drawn much attention for its excellent fatigue-free properties. Bi Ti O （BTO ）and Sr Bi Ti O （SBTO ） were selected as the researching 4 3 12 2 4 5 18 objects. Using the PLD(pulsed laser deposition) to make the thin films. For integrating with the