Cu掺杂SiC薄膜的结构和磁性研究.pdfVIP

南宁2010 Cu掺杂SiC薄膜的结构和磁性研究 赵翠莲刘兴伟甄聪棉李远征潘成福侯脊录 河北省新型薄膜材料实验室，河北师范大学物理科学与信息工程学院，石家庄050016 摘要：用磁摔!溅射法制备了Cu．SiC复合薄膜，研究了Cu掺杂SiC薄膜的微观结构和磁性，沉积态 样品都是抗磁性的，随着退火温度的升高，样品出现从抗磁性到铁磁性的转变。进一步升高退火温 度，当达到800oC时，样品铁磁性最强。在800oC下，随着Cu掺杂含量的增加，饱和磁化强度明 显增加，Cu的掺杂含量为3at．％时，样品具有最大饱和磁化强度为2．3emu／crn3。通过第一性原理 计算，我们发现cu掺入后，c的P轨道和cu的d轨道之l’H】存在强烈P．d耦合，使电子产生了A旋 劈裂，体系的磁矩主要局域在C原子的2p轨道。 关键字：SiC薄膜；铁磁性；掺杂；晶化 and in onthemicrostructure Investigation ferromagnetism SiCfilms Cn．doped Zhao Cuilian，Liu Xingwei，ZhenCongmian，LiYuanzheng，PanChengfu，HouDenglu HebeiAdvancedThinFilms of Normal Laboratory，DepartmentPhysits，Hebei 050016，China semiconductorsascandidatematerialsfor deviceshavetheir Abstract：Recently，magnetic spintronic asa carbidewide semiconductorhas excellent applications．Silicon gap many properties． potential its hasbeenconcernd．Thefilmsof SiCwere Especiallyferromagnetism compositeCu-doped prepared radio themicrostructureand ofthe using frequency(RF)magnetronsputtering，and magnetismproperties the the filmswere indetail．Wefoundthat are investigated as·depositedsamplesdiamagnetic．However,as fromthe to transition． increases，thesamplesappear diamagnetic annealingtemperature ferromagnetic Whenthe reaches8000 showsthe