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利用放射性同位素产生光子源的研究 郭航 (厦门大学萨本栋微机电研究中心，厦门，福建361005) AmitLal (SonicMEMS University。Ithaca,NY14850，USA) Laboratory，Comell 摘要：本文研究了利用放射性同位素63Ni发射出来的电子来激发气体产生光子的自供能型的光子源。实验中分 别将空气、氖气和氙气充进由微制造技术加工而成的腔体中，腔体上集成有放射性63Ni薄膜源，并在有 磁场和无磁场情况下进行光子产生的测试，来研究放射性同位素所发射电子的磁约束情况。 关键字z自供能，光子，放射性同位素，微腔体，微机电系统 引言 自20世纪60年代，铷和铯原子频标就已经制定…。原子钟微型化所采取的一种措施就是采用垂直腔表面 都是利用射频振荡器来激励，因此，虽然减小灯泡的尺寸可以实现小型化【3】，但是激发功率仍然很大，这给便 携式应用带来了一定的问题。解决这个问题的一种可能性就是通过放射性物质的薄膜发射出的口粒子去轰击气 体的电子而产生光子，如果在这个过程中能够产生足够的光子，这种自供能型的灯泡就可大大降低芯片级原子 钟所需要的功耗。 人体皮肤不构成侵害，因此该元素是相对安全的。此外，它的半衰期超过100年，这使得它可以被作为一个长 期应用的供应能源。 本文研究利用放射性同位素在空气、氖气和氙气中产生光子的情况，为了说明问题，这些气体可以先被充 入到一个大腔体中，腔体里面有放射性同位素63Ni源和一个用来对产生的光子进行计数的计数器。本文所提出 的自供能灯／光子源的原型微装置是充进氖气后进行测试的．同时。文中还分别研究了在由外磁体和在器件内部 集成的利用激光切割的磁体形成的磁场中的由放射型同位素产生光子的情况。 电子撞击产生的光子 在图l中所示的微型装置示意图内，电子撞击气体原子后，会导致电离或者使得气体的电子激发。在电离 吸收长度为8cm形成对比很短。而气体离子可以重组．复合并经历几个光学跃迁而生成光子，生成的光子数取决 于气体原子中的电子数以及气体的分子量。此外，若阴离子和阳离子同时被电离，可能会迅速的复合以致消除 光学跃迁。实验证明对于电子的电离的能量要远远大于气体的l临界电势，该临界点指在真空中能够自发电离所 势衰减。虽然63Ni的平均电子能量为17．1keV，实质上有效的被散射的电子能量大约为IkcV。 B形放射性同位素 图1利用夕放射性同位素散射电子轰击微腔体气体产生光子的示意图 除了电离，气体原子的外层电子可能被激发到高能级并发射光子后再回到较低能级，这种激发可导致产生 更多的光子【4】，因此我们更期望利黾电子的轰击来产生光子。 949 无磁塥髟响的光子生成 ￡H自fⅫ #i ￡* *a 围2塑料腔催中剥试光干生成的实验装置 囤3塑料腔体中63N1放射性同位素产生的光干 图3所示为实验结果．通过对比有无放射性同位紊两种情况的光于数．我们可以发现在充^氖气和氙气的 腔体中，放射源中放射出的电子激茇气体而产生光于的教果非常显著，生成大约100K个光子。氖气和氙气中 的光于数目大幅度的提高可能是电离导致的大量的内部光学跃迁形成。而在充八空气的腔体内光子数目在置入 放射性同位寨前后并没有改变太多，这说明空气主要是被电离，而很少被撒发产生光子。 为r进一步研究微小腔体中的光子生成情况，我们应用MEM$技术加工出两个相同的具有氮化硅薄膜结构 的硅器件，并把它们键台在一起。在中问一层再键合上两根内径为1／32英寸的铜管．以便通^气体。圈4为该 结构的示意图和器件实物圈。圈5表示的是薄膜外部有无放射性同位素”NI情况下操测到的光子数目。 U 图4自供能型光子生成的原型徽腔体结构t 圉5擞腔休中放射性同位素教是产生的光手敷