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- 2017-09-04 发布于安徽
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第l七届全国半导体物Ⅲ学术会议论文集 巾凼·长存2009年8H16日-20R
AIGaN／GaN异质结2DEG迁移率的研究
刘颖。，张继华，杨传t‘，曼橙，陈宏伟
电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054
Emaih educn
jhzhang@ucstc
引言：
近年来GaN厦相关的111．N族化台物半导体山于具有宽禁带、高电子迁移率和高击穿电
雎，OaN摹电学器件的研制受到越来越多的关注，其微波大功率应用的前景已逐渐显现。与
同为宽禁带半导体的其他材料小同，GaN基材料易于制作异质结，在OaN基材料制作的晶
cm2v1S。1的高电子迁移率，这使其在高频微波器
有特殊的优越性质，在常温下有1500．2000
HEMT二维电子气密度高，通常可选1x10”clll‘，是
件制造中比slc更优越；AIGaN／(}aN
效应和由品格臾配引起的压电极化效应作用使其在AIGaN／GaN界面产牛了大量的固定正电
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