场板结构AlGaNGaNHEMT的电流崩塌机理.pdfVIP

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57 12008 1 Vol. 57, No. 1, January, 2008 10003290200857(01)046705 ACTA PHYSICA SINICA 2008 Chin. Phys. Soc. AlGaNGaN HEMT * 魏 巍 林若兵 冯 倩 郝 跃 ( , , 710071) (2007 4 28; 2007 6 6 ) , AlGaNGaN HEMT . , ; , , . , , , , . , , . : AlGaNGaN HEMT, , PACC: 7280E, 7340Q , 1引 言 . , AlGaNGaN 2DEG , . AlGaNGaN : . , AlGaNGaN . MOSFET HEMT [ 1] [ 5] HEMT 1130 mAmm , , . f 107GHz, f 151 [ 6] T max Adivaranhan FP [ 2] , FP GHz .AlGaNGaN HEMT GaN FP , . AlGaNGaN HEMT FP . , , , , . , FP , . , [ 7] , GaN . [ 3] FP AlGaNGaN HEMT , , ; [ 4] . , , , . , . , . ( FP) , , , , , . * ( 973) ( : 51327020301, 2002CB311904) . Email: im osingwei@ sohu. com 468 57 2器件结构与工艺 AlGaNGaN MOCVD . ( 0001) . 520 ! 30nm GaN , 1 m GaN , 8 nm AlGaN 16 nm Si AlGaN

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