国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究.pdfVIP

中国核科学技术进展报告（第一卷） 核电子学与核探测技术分卷 Progress Report on China Nuclear Science Technology （Vol.1 ） 2009 年11 月 国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET 总剂量辐照及退火效应研究 1,2,3 1,2 4 1,2,3 1,2,3 崔江维 ，余学峰 ，刘 刚 ，李茂顺 ，高 博 兰 博1,2,3 1,2,3 1,2,3 1,2,3 ，赵 云 ，费武雄 ，陈 睿 （1. 中国科学院新疆理化技术研究所，新疆 乌鲁木齐 830011 ； 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室，新疆 乌鲁木齐 830011 ；3. 中国科学院研究生院，北京 100049 ； 4. 中国科学院微电子研究所，北京 100029 ） 摘要：对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明：随着工艺 技术的发展，正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力，背栅由于厚度和氧化物质量的原因而对总剂量辐照更加敏感； 辐照引入界面态陷阱电荷的散射作用降低了正栅源漏饱和电流；退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈 曲线的平衡位置，而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷，使得退火后背栅曲线仍距初始值有一 定负向距离。 关键词：总剂量辐照效应；退火；亚阈曲线 随着航天事业的发展，越来越多的电子元器件被应用到辐射环境，大量的宇宙射线和带电粒子 引入的陷阱电荷会对器件造成不同程度的损伤，影响器件寿命，甚至使其失效。因此，急需要具有 优良抗辐照性能的器件和电路的出现。 SOI 器件具有抗单粒子和瞬时辐照的先天优势：隐埋氧化层阻挡了衬底区产生的电子的收集， 使SOI 器件中对高能粒子敏感的区域比体硅器件小得多，有较强的抗单粒子事件的能力；完全的介 质隔离使它在瞬时辐照时产生的光电流要小得多，有很强的抗瞬时辐照能力[1] 。然而，埋氧层和两 个Si/SiO2 界面会在总剂量辐照环境下引入更多的陷阱电荷，使得它的抗总剂量能力要差一些，国产 器件更是如此。因此，对SOI 器件的总剂量辐照效应进行研究，提高其抗总剂量辐照能力是使其更 加广泛应用于辐射环境的必需途径。而对辐照后器件的退火特性研究，可以更加明确辐射引入的陷 阱电荷的作用机制，更有针对性地对器件进行抗总剂量辐照加固。 关于SOI器件的总剂量辐照效应，国内外已经有比较成熟的研究[2-4] 。基于前人的工作，本文重 点针对国产工艺的SOI器件，分析了其抗辐照性能及退火特性，进而给出了针对国产工艺SOI器件抗 总剂量辐照加固的建议。 1 实验 60 实验样品为部分耗尽SOI PMOSFET。辐照实验是在新疆理化所的大型 Co γ源上进行的。 1. 总剂量辐照实验 分别选取了50 krad，200 krad ，500 krad，1 Mrad，1.5 Mrad(Si)等剂量点，剂量率为151.09 rad(Si)/s。 辐照偏压状态为MOSFET 的OFF 状态，即PMOSFET 栅、源、漏及体区都接地电位。 2. 退火实验 实验分为常温（25 ℃）退火和升温（50℃）退火两部分，退火条件与辐照偏置条件相同。 作者简介：崔江维（1983—）女，河北石家庄人，微电子学与固体电子学专业，中科院新疆理化技术研究所硕士 160 以上实验采用半导体参数测试仪HP4140 测量辐照前后MOSFET 的正栅和背栅亚阈特性和输出 特性曲线，每次测试都在20 min 内完成。 2 结果和讨论 2.1 总剂量辐照效应研究 辐照在MOS 器件的氧化层中产生氧化物陷阱电荷，在Si/SiO2 界面产生界面态。对于PMOS 而 言，界面态亦显示正电性，和氧化物陷阱电荷一样会导致阈值电压的负向漂移[3] ，而阈值电压大的 漂移是电离辐照引