较低温度生长的RbOH作为阴极缓冲层的OLED研究.pdfVIP

较低温度生长的RbOH作为阴极缓冲层的 OLED研究 刘川，张健，李传南 (集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，吉林大学电子科学与工程学院，长春130012) 离瀛源，可简化工艺，降低器件翻作成本．实验结震表明，在阴极和有机发光层之问插入—层RbOH作为阴极缓冲层能有效 地提高器件的亮度和效率，当其犀度为4nm时器件性能寝现最优，与未加入缓冲层相比，器件的最大亮度与最大电流效率分 别提高了15．5倍和3．6倍。 关麓词t有机发光器件；氢氧化铷；阴极缓冲层；蒸镀温度 0引言 冲层的方法可改善OLED的载流子注入，尤其是在 阴极和电子传输材料之间加入阴极缓冲层，可改 有机发光器件(Org--icLight-Emitting 善电子的注入，也易使发光区的电子和空穴数量 Device，OLED)具有全固态、主动发光、视角宽、 II 达到平衡，从而改善器件的性能【协涸。 响应速度快(ls)、工作温度范圈大(一45℃～ +85℃)以及可制作在黍性树底上、功耗小等优点， LiF和CsC03是两种常见的效果较好的阴极 因此被业界视为下一代主流显示和照明技术之 缓冲层材料，但LiF和CsC03的熔点都较高，例如， 一。近年来各种新型有机半导体材料和新型有梳 发光器件结构的应用，使oLED器件性能和产业 温度较高，须使用高温源，也增加了器件的制作 化都取得了重大的进步ll{J。有机半导体材料与传 成本，且蒸镀时易对有机材料层产生损伤。因此 统的无机半导体材料相比较具有独特的优势，比 寻找新的低熔点的阴极缓冲层材料来改善电子的 如，材料种类多，可选范围广，可根据要求合成 注入，对促进0LED的发展显得极有意义。 不同特性的材料，有机材料的延展性好，可用于 本论文采用熔点仅为301℃的氢氧化铷 柔性电子产品，等等。但有机半导体材料也存在 (Rubidium 不足，比如，有机半导体材料中的载流予浓度低， 插入在阴极和有机发光层之闽，用以改善器件的 迁移率小，尤其是有机电子传输材料的电子迁移 性能n割：同时，探索了勋OH作为阴极缓冲层的 率普遍比有机空穴传输材料的空穴迁移率低；另 最佳厚度。这个温度的阴极缓冲层材料可以使用 外，载流子传输材料与电极之间不易形成欧姆接 与有机材料相同的蒸发源进行蒸镀，降低了工艺 触，导致载流子从电极的注入比较困难，发光时 对设备的要求。 易发生载流子不平衡的问题，从而也影响了 OLED器件的发光效率和强度等性能19-¨l。因此提l实验过程 Tin 高OLED中载流子的注入和传输是提高器件发光 实验中选用铟锡氧化物(IndiumOxides， IT PB 效率和发光强度，降低器件工作电压的关键手段 0)玻璃作为器件村底和阳极，N 之一。通常在电极和载流子传输材料之间加入缓 项目基垒：吉林省科技厅支撑计划重点项目(No和阑家自然科学基金(No资助· 作者筒介；宴dIII(1987-)，男，硕士研究生，生要从事高性能OLED器件和有机太阳能电池的研究． EInail；lilIcihu锄ll@咖ils．jlu．edu．cn 409 研究-E糙棚：licn画h1．edu．cn