MgZnO日盲紫外探测器的制备和性能研究.pdfVIP

摘 要 外波段。这使得MgZn0可用于高灵敏度的日盲型紫外探测器。与GaN基材料相比， 使得其缺陷密度远远小于GaN基材料，给器件性能提供了提升的空间。 在本文中，采用金属有机气相沉积的方法(MOCVD)制备了单一立方相结构的、 MgZn0基日盲紫外探测器，实现了日盲紫外探测。具体研究内容如下： 1． 采用金属有机气相沉积(MOCVD)方法，并通过改善生长条件，生长出了 具有较高晶体质量的高Mg组分MgZnO合金薄膜材料。 2． 薄膜晶体质量有了大幅度的改善。 3． 的MgZnO合金薄膜材料，并对器件进行了光响应和I．V特性等表征。结果表 明，在外加15V的偏压下，器件的光响应探测截止边在277I吼，符合我们需要 的日盲紫外探测，而且器件在5V偏压下，器件暗电流值为3pA。 MoCⅦMSM型结构日盲紫外探测器 关键词：立方MgZno合金薄膜 Abstract films of baSedUV merits，for MgZnOpossessesu11iquefigures MgZnO photodetectors， a as eV detection tunableband to makng11igher sensitiVit)，，such 1arge gap(3．3 7．8eV)，low blindllesstovisible growmtempe撇a11d li曲t． 111 charactersand make addition，me bio-compatible enVirollIllental-衔endly MgZn0 more attractiVe．Inmis cubic t】：1infilmsLP-MOCVD thesis，we alloys depositedMgZnO by a11d MSMs仃ucture solarblinddetectors．Themaill prepared MgZnO-baSed contentsare aS也e orgaIlizedfollowing： 1． the conditionsof Byinlpr0Vinggrowch MOCVD，we depositedhigherc巧stalMgZnO thinfilms． alloys 2． The behaViorsofcubic thinfilms chemica】 a1111ealing Mgo．57Zno．430 bymetal-o唱撕c werestudied．A舭r at in Vapordeposition anneal