InP基一镜斜置三镜腔型光电探测器理论分析及实验研究.pdfVIP

维普资讯 中 国 激 光 VoI．32，NO．8 第 32卷 第 8期 2005年 8月 CHINESE JOURNAL OFLASERS August，2005 文章编号 ：0258—7025(2005)08—1045—05 InP基一镜斜置三镜腔型光电探测器 理论分析及实验研究 王 琦 ，黄 辉，王兴妍，任爱光，武 鹏，黄 成，黄永清，任晓敏 (·北京 邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室，。北京邮 电大学继续教育学 院，北京 100876) 摘要 介绍了一种新型长波长 InP基一镜斜置三镜腔型 (0MITMiC)光 电探测器 ，并对其进行 了数值模拟。介绍 了该光电探测器的两项关键制备工艺 。首先 ，利用动态掩膜湿法腐蚀技术 ，通过调节 HCI：HF：CrO 腐蚀溶液的选 择 比。在与 InP晶格 匹配的 Ino Ga As P。外延层上制备 出了不 同倾角的楔形结构 。其次 ，利用选择性湿法腐 蚀技术 ，通过 FeCI。；H O溶液对 Im Ga。 As牺牲层 的腐蚀 ，制备 出了具有 InP／空气隙的高反射率分布式布拉格 反射镜 (DBR)。 关键词 光电子学；光电探测器 ；楔型结构 ；空气隙 中图分类号 TN 364 ．2：TN929．11 文献标识码 A TheoreticalAnalysesandExperimentallnVestigatiOnsofInP—Based One-M irror-InclinedThree-M irror-CavityPhotodetector WANG Qi ，HUANG Hui，WANG Xing—yan ，REN Ai—guang ， W U Peng ，HUANG Cheng ，HUANG Yong—qing ，REN Xiao—min ，KeyLaboratoryoJOpticalCommunication Light~aveTechnologies，MinistryofEducation，Beijing100876，China、 ＼ 。InstituteofContinuingEducation，BeijingUniversityofPostsandTelecommunications，Beijing100876。China ／ Abstract A novellong—wavelength InP—basedone—mirrorinclinedthree-mirror-cavity (()M ITM iC)photodetectoriS introduced． The computationalsimulations are given and two key fabrication processes of this ()M ITM iC photodetectorareintroduced．OneiSthefabricationofseveralverticaltaperstructureswithdifferentinclinedangles ontheInf)72Gaf)28ASo6P04epi—layerswhicharelattice-matchedtO InP substrate，thatisrealizedbydynamicetch masktechniqueandadjustingthecomponentratioofHCl：HF：CrO3solution．Theotheristhatofhigh—reflectivity InP／airgapdistributedBraggreflectors(DBRs)realizedbytheselectivewetetchingofIno53Gao47Assacrificial layer