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维普资讯 第33卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 V01．33 No．6 2OO4年 12月 J0URNAL 0F SYNTHETIC CRYSTALS December．20o4 微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究 张晓丹，赵 颖，朱 锋，魏长春，吴春亚，高艳涛， 孙 建，侯国付，耿新华，熊绍珍 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津 300071；南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津 300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学)，天津3000711 摘要：本文研究了采用VHF-PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示：微晶硅薄膜存在着 生长方向的结构不均匀，随厚度的增加，材料的晶化率逐渐变大；不同衬底其非晶孵化点是不一样的，对于同一种 衬底，绒度大相应的晶化率就大，对应着孵化层的厚度小；AFM测试结果明显的给出：材料的结构随厚度增加发生 变化。 关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积；纵向均匀性；微晶硅薄膜 中图分类号：TKS1 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2004)06-09~(05 StudyofVerticalNon-uniformityofMicrocrysta,llineSilicon ThinFilm UsingRamanSpectraandAFM ZHANGXiao—dan，ZHAO M，lg，ZHUFe，lg，WEIChang-chun，删 Chun-ya，GAOYan—tao， SUNJian，HOUQ正0一 ，GENGX~n-hllAyt，XIONGShao—zhen (InstituteofPhoto-electronicsThinFilmDevicesandTechniqueofNankaiUniversity，Tianjin300071，China； KeyLaboratoryofPhoto-elcetronicsThinFilmDevicesandTcehniuqeofTianjin，Tianjin300071，China； KeyLaboratoryofOpto-electronicInformationScienceandTcehnology(NankaiUniversiyt，TianjinUniversiyt)，MinistryofEducation，Tianjin300071，China) (Recev／ed13June2oo4) Abstract：Non—uniformityofmicrocrystallinesiliconthinfilm depositedbyVHF-PECVD alongthegrowth directionwasstudied．TheresultsofRamanshowde htathtestructureofmicrocrystallinesiliconhtinfilm existdenon—uniformityalonghtegrowthdirection．Crystallinevolumefraction(Xc)graduallyincreasdewihthte increaseofhtickness．Th eposition ofincubationWas differentfordifferentsubstrates．Asforhtesame substrate，htelargertextu