CZTFrisch栅探测器前置放大器的设计.pdfVIP

第31 卷 第12 期 核 技 术 Vol. 31, No.12 2008 年12 月 NUCLEAR TECHNIQUES December 2008 CZT Frisch 栅探测器前置放大器的设计 1 1 1,2 1 1 1 3 施朱斌 桑文斌 钱永彪 滕建勇 闵嘉华 樊建荣 刘积善 1(上海大学材料科学与工程学院 上海 200072) 2(华瑞科学仪器(上海)有限公司传感器工程技术中心 上海 201821) 3( 中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800) 摘要 CZT Frisch 电容栅器件采用两个平面电极，侧面金属层与阴极相连, 与晶体之间有薄绝缘层隔离。根据 Frisch 电容栅探测器的结构和前置放大器的参数指标，采用交流耦合，选取结型耗尽型高跨导场效应管作为输 入级以及反馈电容和泻放电阻组成的电荷灵敏放大器，成功地设计制造了低噪声、高性能的CZT Frisch 栅探 测器的前置放大器。并给出了测试结果。 关键词 前置放大器，CZT，Frisch 电容栅器 中图分类号 TN304.2 + 5，TL82 CdZnTe(CZT)具有较大的禁带宽度和较高的平 均原子序数，可工作在常温，并具有较大的阻止本 1 理论分析 领和较强的抗辐射能力[1] 。现有CZT 材料的空穴迁 电荷灵敏前置放大器是带有电容负反馈的电流 移率比电子迁移率低10 倍左右，由于输运性质如许 积分器，如图1 所示。引入反馈电容Cf(或称为积分 差异，在空穴漂移长度小于器件厚度的平面器件中， 电容后，输入端信号的等效电压为： t 产生电荷显著依赖于反应深度，导致电荷收集不完 W 全。因此，探索新型的CZT 器件结构设计，以减小 ∫iD (t)di Q V = 0 = (1) CZT 探测器信号对反应深度的依赖性，提高其探测 iM C C + (1 + A )C if i 0 f [2,3] 效率和能量分辨率，是国际前沿研究课题 。 式中，C 是不考虑C 时的输入端的总电容，Q 表示 i f 电容栅器件采用两个平面电极，侧面金属层与 输入电流iD(t) 的总电荷量。运算放大器增益A0 通常 阴极相连, 与晶体之间有薄绝缘层隔离。这种结构 很大，即A 1 ，(1 + A )C C ，则V ≈Q/ (A C ) 。