四针状氧化锌晶须生长机理及生长过程研究.pdfVIP

第28卷专辑 中 国 稀 土 学 报 20，o年4月 V01．28 JOURNALOFTHECHINESERAREEARTHSOCIETY Spcc．Issue Apr．2010 四针状氧化锌晶须生长机理及生长过程研究 陈加希+，谢刚1,2，杨大锦1，许春富2，俞小花2，李荣兴2 长方式符合气一固生长机理。晶须中心部位存在多重孪晶结构。而晶须的针体为单晶。在T．zIlOw晶须中发现了八面体晶核的存 在，晶须的生长符合八面体多重孪晶核模型。 关键词t四针状氧化锌晶须；晶须结构；生长机理：生长过程 中圈分类号：TF03文献标识码：A文献编号：101X1--4343(2010卜0321--05 氧化锌(ZnO)是一种纤锌矿结构的自激活直接宽针对研究现状，本文对r．ZnOw的生长机理做了初步 禁带无机半导体材料，具有优良的光电磁性能。在声 探讨，利用高分辨透射电镜，对针脚的生长方向和生 表面波、透明电极、光电器件等领域具有很大的应用 长模型进行了研究。 潜力11】。另一方面，作为一种重要的多功能填料，ZnO 1T—ZnOw晶须的生长机理 也被广泛应用于橡胶、陶瓷、塑料、医药、化工、金 属等添加剂。近年来，随着材料制备技术和工艺的改 根据反应介质不同，晶须的制备方法可划分为 进，各种特殊形貌和用途的氧化锌及其纳米结构被相 两类：液相工艺和气相工艺。已报道的T—ZnOw制备 继发现，从而引发了znO的研究热潮，成为功能材料 方法都是气相反应法，而气相法制备晶须主要有两 领域新兴的前沿课题之一【2】。其中四针状氧化锌 种生长机理：气一液．N(VLS)机理和气．固ⅣS)机理【7j。 (T-ZnOw)晶须由于还具有良好的耐磨、减震、降噪、研究表明大多数晶须的生长服从VLS规律，至于 防爆以及吸波等优良性能，可以广泛用作工程塑料、 T-ZnOw的生长到底受哪种生长方式支配尚有争论， 橡胶、树脂复合增强剂以及吸波隐声材料等，而受到 大多数学者认为T．ZnOw的生长方式是气一固生长机 广泛的重视p’4l。 理VS，即通过气．固间反应成核并生长晶须；但也有 迄今为止，关于T．ZnOw的制备方法国内外己有人认为T-ZnOw的生长方式是气．液一固机理，即在成 不少文献和专利报道【4．51。虽然这些方法从本质上采 核和生长过程中，有液相参与作用。目前趋向前一 用的都是气相反应法，但合成工艺却各不相同。根据 种观点的较多，理由是在晶须表面上看不到催化剂， 不同的分类标准，可将这些制备方法和工艺分为不同 晶须的尖端没有圆珠状物存在，另外缺陷结构和气 类型。如，根据原料是否经过预处理可将这些方法分 相过饱和度也是晶须按照VS机理生长的关键。 为预氧化法和直接氧化法；根据气氛控制手段的不同 气．液一固晶须生长机理是Wagner研究大单晶晶 又可分为四类：锌粉预氧化法、反应器预热法、惰性 须生长时提出的【8】。他指出杂质能与体系中的其它组 气体稀释法、添加还原剂控制反应速度法【6】。 份一起在较低的温度下形成低共融的触媒液滴，从而 了解晶须的生长机理和生长过程对控制和设计 在气相反应物和基体之间形成了一个对气体具有较 晶须的定向生长具有重要意义，但目前，对T-znOw 高容纳系数的V—L广S界面层。该界面层不断吸纳气相 的生长机理仍存在争议，T-ZnOw成核及生长过程仍 中的反应物分子，在达到了合适晶须生长的过饱和度 不清楚，基础理论研究不够深入，研究结论彼此不同。 后，界面层在基体表面析出晶体形成晶核(或通过异 收藕日期：2009．10—30；修订日期：2009．12-10 作者简介：陈加希(1964-)，男，教