SiC埋层的制备及其红外吸收特性.pdfVIP

第 46 卷 第 11 期 1997 年 11 月 物 　理 　学 　报 Vol. 46 ,No. 11 ,November ,1997 ( ) 97/ 46 11 / 227406 ACTA PHYSICA SIN ICA 1997 Chin. Phys. Soc. SiC 埋层的制备及其红外吸收特性 严 　辉 　陈光华 (北京工业大学应用物理系 ,北京　100022) 黄世平 (香港中文大学电子工程系 ,香港沙田) 郭伟民 (香港中文大学化学系 ,香港沙田) ( ) 1997 年 2 月 25 日收到;1997 年 5 月 4 日收到修改稿 　　采用 metal vapor vacuum arc 离子源的离子束合成方法 ,对单晶 Si 衬底注入 C + 离子 ,获 得不同剂量下的 SiC 埋层. C+ 离子束的引出电压为 50 kV ,注入的剂量为 30 ×1017 —16 × 1018 cm - 2 . 通过红外吸收谱的测试和分析 ,表明 SiC 埋层的结晶程度依赖于剂量的大小. 研究 ( ) 证实 ,可以在较低的平均衬底温度下 低于 400 ℃ 得到含立方相结构的 SiC 埋层. PACC : 8120 ; 6116 1 　引 言 众所周知 ,SiC 晶体的生长温度通常不低于 2200 ℃,如此高的温度要求不仅会带来 技术上的难题 ,而且会造成严重的高温掺杂问题 ,从而降低 SiC 电子元器件的工作性能. 早在 60 年代 ,随着离子注入技术的发展 ,人们就开始用离子束合成方法尝试在较低温度 下制备 SiC 的埋层[1 ] . 直到最近 ,有报道在 950 ℃的衬底温度下得到了立方相结构的 SiC ( ) [2 ] 埋层 固相外延 和低缺陷的 Si 顶层 , 向 SiC 埋层的电子学应用迈出了新的一步. 但是 , 在传统的离子源中普遍存在束流过小的问题. 因此 ,SiC 埋层中结构相的形成和生长机理 至今并没有统一的认识. 80 年代中期以后 ,发展了一种宽束、脉冲和强流的 metal vapor vacuum arc (MEVVA) 离子源[3 ] ,奠定了解决传统的离子源中束流问题的基础. 初步的实 验结果[4 ]表明 ,利用 MEVVA 离子源能够快速地获得一定剂量下的 SiC 埋层. 采用新的 MEVVA 离子源 ,维持 50 kV 的引出电压 ,改变 C + 离子的注入剂量 ,制备 出不同剂量下的 SiC 埋层. 用 Fourier transform infrared ( FTIR) 吸收谱测定了 SiC 埋层的 结构 ,测量和分析的结果表明 SiC 埋层的结晶程度与剂量的大小有关. 2 　实验过程 ( ) 衬底材料是 n 型或p 型 100 高阻单晶 Si 片. 离子束的引出电压限定为 50 kV ,剂量 为 30 ×1017 —16 ×1018 cm - 2 . MEVVA 离子源的脉冲宽度为 12 ms ,重复频率从 25 到 11 期 严 　辉等 :SiC 埋层的制备及其红外吸收特性 2275 50 Hz 可调. 石墨固源的纯度为 99