Gd5Ge4中磁场温度诱导的磁结构相变研究.pdfVIP

助 材 抖 2009年第12期(4o)卷 Gd5Ge4中磁场温度诱导的磁结构相变研究 洪 芳，袁淑娟，周 同，郁黎明，安 康 ，曹世勋，赵新洛 (上海大学 物理系 上海大学低维炭材料及器件物理研究所 ，上海 200444) 摘 要： 最近的研究表 明，在低温低场时，GdGe 的 加磁场超过 lT，才会发生磁场诱导的一级磁结构相 一 级磁结构相 变被 阻止 而进入一种磁玻璃 态，即在反 变。因此高场时Gd。Ge 的晶体结构不能通过零场时 铁磁母体 中随机分布着铁磁团簇。结合这一最新研 究 衍射数据获得 ，零场时只有温度诱导的磁结构变化。 结果 ，通过对 Gd5Ge 样 品不 同低 温 的磁场诱导 的磁 而 Gd同位素对 中子衍射的高吸收，使得从 中子衍射 化强度进行 两次循环 测量 ，研 究发现 在 不 同条件 下 数据中很难得到可靠的结构信息。Pecharsky等人口。] Gd5Ge的磁结构相变存在可逆性与不可逆性，并结合 通过研究温度低于30K磁场达到 3．5T的高分辨的X 磁玻璃态进行 了分析讨论。验证 了Gd5Ge 的等温磁 射线粉末衍射，来分析原子尺度的Gd。Ge 的一级结 化行为和结构变化的一致性，这为证明在磁和晶格之 构相变，揭示 了磁场诱导的结构相变的本质，这样也使 间存在耦合作用提供 了直接的实验证据，揭示 了一级 得理解 巨磁热效应更容易，论证 了在低场中巨磁热效 磁 结构相变对 巨磁热效应的产生起 了重要作用。 应起源于传统的两相中不同的磁熵造成的磁熵驱动机 关键词 ： Gd。Ge；磁结构相变 ；磁玻璃态 制的扩大。 中图分类号： TB64 文献标识码：A 最近的研究表明在低温低场时 GdGe 的一级磁 文章编号：1001—9731(2009)12—2038—03 结构相变被阻止而进入一种磁玻璃态[1引，即铁磁团簇 1 引 言 随机分散在反铁磁的母体中。铁磁团簇间存在着非常 低维磁系统因为它们的理论基础上的重要性和实 弱的铁磁性耦合 ，每个铁磁团簇与反铁磁表面之间存 际应用受到人们的广泛关注[1]，二维的和三维的交换 在弱的交换耦合作用，当外加磁场增大时，不稳定的反 作用的竞争导致 了复杂的磁结构的出现和不平常的一 铁磁逐渐转变为平衡的铁磁态 ，铁磁团簇长大，不稳定 些磁性质。低维磁性材料的实际应用包括超顺磁高密 的反铁磁区域将受到压缩。本文主要研究Gd。Ge．的 度磁存储材料和磁多层膜体系的磁阻读 出头和传感器 磁场和温度诱导的磁结构相变，并结合磁玻璃态进行 等。Gds(SiGe一)体系具有强相互作用 的磁和非磁 分析。为了进一步说 明 GdGe 的磁结构相变 ，对不 的排列在亚纳米厚 的二维层并且形成三维晶格结构。 同低温的磁场诱导的磁化强度进行 了两次循环测量， 很多现象在Gds(SiGe一)合金体系中观察到[3]，都 结果显示 GdsGe在低温下磁化行为具有不可逆性和 是 因为磁场或者温度诱导的磁的和晶格的相变。在相 对温度的依赖性 ，结合 Pecharsky等人n 在磁场中的 变过程中连接相邻层之间的Si(Ge)一Si(Ge)共价化合 X射线衍射