CVD金刚石薄膜在微机电系统(MEMS)中的应用.pdfVIP

维普资讯 郭 江 等：CVD金刚石薄膜在微机电系统(MEMS)中的应用 CVD金刚石薄膜在微机 电系统 (MEMS)中的应用。 郭 江 (成都理工大学 信息工程学院，四川 成都 610059) 摘 要 ： 金刚石薄膜 由于其独特 的物理、化学和电学等特性 ， 尽管金刚石薄膜具有上述 的巨大优越性，但 由于其极高的 使其作为在极具发展潜力的MEMS中一种理想的材料 ．越来越 硬度和极好 的化学稳定性 ，难 以用常规 的半导体工艺实现其高 得到人们 的重视 。此外近来各种金 刚石薄膜的合成弄口加工方法 精度 图形化 ，所 以要使得 金刚石膜在 MEMS领域取得广泛应 已不断发展 ，使金刚石薄膜 MEMS已逐步从原理的证明转 向了 用 ，必须采用特殊 的加工工艺及方法 。 目前广泛采用的是金刚 实际的应用。本文简述 了金刚石膜在 MEMS中应用的技术基 石薄膜 的选择性生长和刻蚀等图形化技术 。 础及其在 MEMS中应用的最新进展 ，着重介绍 了金刚石喷嘴在 金刚石膜 的选择生长 ，是通过控制生长区域和非生长区域 生物芯片中的应用；半导体金刚石探针(既可用作隧道扫描显微 上 的金刚石成核密度 ，实现金刚石 的图形化 。通常采用金刚石 镜探针又可作为一种抛光表面的微型工具)；世界上最微型的金 颗粒打磨衬底或在光刻胶 中掺人金刚石粉 以增强生长区域 的成 刚石 外科 手术刀及微型 电夹。 核浓度 ．用 Ar离子或 0。离子束刻蚀[ ，以减少非生长区的核 关键词 ： 金刚石薄膜 ；微机 电系统 ；选择生长 化浓度 。近来人们又发展 出直流偏压增强微波化学汽相沉积 中图分类号 ： 0484．42 文献标识码 ：A (MPCVD)金刚石薄膜 的选择生长技术 ．可在未经打磨的Si和 文章编号 ：1001-9731(2003)03·0349—03 SiO。衬底上实现成核选择 比1O 间隙小至 1～2m 的金刚石 1 引 言 图形选择生长 。此外负偏压增强核化技术 (BEN)在金刚石薄膜 的图形化 中也是相当有效的，它可使金刚石在 Sj基底上 的核化 微机电系统 (将微型机械部件用集成 电路集成在 同一硅芯 浓度高达 10 ／cm2[船]．且可有效防止基底表面的损坏。 片上)技术在军事、航天、信息、医学、工业和农业等领域有着广 图形化刻蚀技术是另一种常用的加工技术 。如离子束辅助 阔的应用前景 ，因而它一经 出现就受到了世界各 国的高度重视 ， 相继投人了大量的人力和物力开展了对 MEMS器件的研究。 刻蚀 (IBAE)[“]、反应离子刻蚀 (RIE)[2s]、电子 回旋共振刻蚀 目前，国外的MEMS器件 已创造 了相当可观 的经济效益 ，多种 (ECR)[ 和微波等离子体刻蚀[”以及激光刻蚀[等。对大面 建立在集成电路技术基础上主要 以Si和 Si的化合物为材料的 积薄的金刚石膜 ，通常用 sio2[]或 AI[29]作掩膜 ；对较厚的金刚 机械微型传感器(例如：压力传感器、加速度传感器[13)和微型 ’石薄膜 ，常用铜或镍钛合金等金属作硬掩膜l3。近年来发展起 流动装置 (如微型泵、微型阀门[1I])已被发展。然