低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响.pdfVIP

! 第# 卷! 第$ 期 强 激 光 与 粒 子 束 %’( ) ，*( $! ! $++, 年$ 月 -./- 01234 56734 6*8 0649.:53 ;367 =?( ，$++,! 文章编号：! ++@AB$$（$++, ）+$@+B+@+A 低温退火对!#$% 中波光导器件 ! 辐照效应的影响! ，$ 白! 云 ，! 乔! 辉 ，! 李向阳 ，! 龚海梅 （’ 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海$+++)B ；! $’ 中国科学院研究生院，北京 +++B# ） ! ! 摘! 要：! 研究了低温退火对-C:D9 中波光导探测器 射线辐照效应的影响。经过剂量为 EFD 的辐 ! 照后，器件的性能下降。对经过辐照的器件进行低温退火，退火温度范围为BB G BBB H ，退火时间在I G J K 之间不等。在相同条件下测量了器件辐照前后及不同退火温度、不同退火时间下的体电阻、响应率、探测率和 响应光谱。通过对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化，分析了退火对器件的! 辐照效应的影响。 实验表明：低温退火对辐照引起的性能的下降有一定的恢复作用。 ! ! 关键词：! ! 辐照；! -C:D9 ；! 退火；! 辐照效应 ! ! 中图分类号：! 9*BJA! ! ! ! 文献标识码：! 6 ! ! 碲镉汞三元合金化合物半导体材料（-C:D9 ）具有优良的电学性能及随组分! 可连续变化的禁带宽度， 是制作红外探测器的重要材料。目前碲镉汞探测器件在航天、航空等方面有着广泛的应用。当器件在复杂的 太空环境中工作时，要处于 射线、电子、质子和中子等强辐照环境之中，这会对器件的性能产生影响。因此， ! 研究器件的辐照效应及抗辐照加固技术对器件的实际应用具有重要的意义。国内外许多研究小组对碲镉汞材 料和器件的辐照效应做了大量的研究［@A ］ ［B ］ 。8LMNOMP 等人 报道了在低温下能量为J % 的电子辐照对 ［A ］ -C:D9 光伏器件的影响；实验表明，辐照使得器件的反向漏电流增大。7FEQOP 研究小组 报道了 辐照对 ! -C:D9 光伏器件性能的影响；结果表明，辐照增大了器件的暗电流，并指出器件的失效与表面的钝化层有 ! 关。中国科学院上海技术物理研究所也对 ［I@) ］ -C:D9 器件的 辐照和电子辐照效应进行了研究 。但目前关 ! 于不同温度下的退火对器件的辐照效应的影响的研究还比较少。本文研究了低温退火对-C:D9 中波光导探 测器的 射线的辐照效应的作用。通过测量器件辐照前后及不同退火温度下的体电阻、响应率、探测率和响 ! 应光谱的变化，对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化，分析了退火对器件! 辐照效应的影响。 () 实验部分 ! ! 实验中所用的碲镉汞红外探测器，是由中国科学院上海技术物理研究所光传感器研究室研制的R 型中波 光导$+ 元线列器件。器件封装于真空杜瓦瓶中，在液氮温度下测量其体电阻、响应率、探测率和响应光谱；所 用黑体温度为I++ H ，黑体孔径+ ( ) SL ，测试距离B+