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项目三 硅化学气相外延 任务一、CVD概况 外延：在单晶基片上生长一层单晶薄膜的过程。 它是60年代初逐渐发展起来的，它解决了分立元件和集成电路中的许多问题。 硅单晶经切、磨、抛等加工，得到抛光片就可以在其上制作分立元件和集成电路。但在许多场合这种抛光片仅作为机械支撑的基片，在它上面首先生长一层适当的导电类型和电阻率的单晶薄膜，然后才把分立元件或集成电路制作在单晶薄膜内。 晶体管的集电极的击穿电压决定于硅片PN极的电阻率，击穿电压高需用高阻材料。 必要的机械强度芯片数百微米串联电阻大。n型重掺的n+材料上（低阻）外延几个到十几个微米厚的轻掺杂的n型层（高阻），晶体管作在外延层上，就解决了高击穿电压所要求的高电阻率与低集成电极串联电阻所要求的低衬底电阻率之间的矛盾。 硅的气相外延： （1）气化生长，分子束外延，专门有一章介绍。 （2）化学气相外延CVD，这一章重点介绍。 二、CVD包括：热化学反应，等离子增强和光能增强CVD，容易工业化：获得所需的掺杂类型和外延厚度，是很通用技术，不断发展，不断完善的技术。 CVD法既简单又复杂。 简单：设备简单，真空室，衬底，气体。 复杂： （1）在化学反应中通常包括多成分物质 （2）在化学反应中可以产生某些中间产物 （3）在化学反应中有许多独立变量（温度，压强，气体流速） （4）淀积工艺有许多连贯步骤 A、要分析这些问题：热力学分析化学反应类型