射频PECVD法制备Si-C-H薄膜的研究.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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射频PECVD法制备Si-C-H薄膜的研究.pdf

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真空科学与技术学报第24卷增刊 54 VACUUMSCIENCEAND JOURNALOF TECHNOLOGY(CHINA)2004年12月张翼英杜丕一+ 韩高荣 (浙江大学材料系硅材料国家重点实验室浙江杭州31(K127) ● GrowthofSi·-C--HFilmRFPlasmaEnhancedChemical by Vapor andHart ZhangYiying，DuPiyi Gaorong ofS以wonMaterials，珧呻咖删ofMaterials ／State研Laboratory Scienee＼、and ， Engining，ZhejiangUnive砬y，Hangzhou，310027，Ch／na AllaraetSi—C-H at rf enhancedchemical silaneand plasma vapordeposition(PECVD)with films，grown300℃by hydrogen-diluted methane annealedat650oCin filmwasthenstudiedwith mixture，was nitrogenatmosphere．The results Si atomicforce showthatSi—Cbondexists (XRD)and microscopy(AFM)．The amongcrystallinegrains． Si—C-H Keywordsfilm，Anneal，IR，XRD，AFM 摘要本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的si心和cH4混合气体，在300 积的薄膜在N2氛围中进行了退火研究。用红外吸收光谱、x射线衍射、原子力显微镜对薄膜进行热处理前后的结构和表面形貌分析。测试结果显示在所沉积的薄膜中含有Si—c键，分布于结晶性好的si晶粒之间。 AFM 关键词Si—C．H薄膜退火红外XRD 中图分类号：TN304．055文献标识码：A 文章编号：1672_7126(2004)增一054-03 碳化硅(SiC)由于具有宽带隙、高临界击穿电表面具有溅射清洁作用，从而加强了薄膜与基板间场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优异的物理的附着力。性质和电学特性，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件的极具发展潜力的宽带隙(2．0eV≤ 1实验 E。≤7．0eV)半导体材料[1,2]。目前，半导体器件所制备Si—c—H薄膜采用的是电容耦合式射频辉光用材料主要是以si为主的元素半导体和以GaAs等 hill，为主的化合物半导体。因Si器件难以在高于250 ℃的高温下运行，所以在发展硅器件的同时，人们一直在探索SiC半导体材料