光电耦合器件中子辐照损伤研究.pdfVIP

第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 光电耦合器件中子辐照损伤研究 周开明，杨有莉，李小伟 (中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳，621900) 摘要：比较不同工艺光电耦合器件抗中子辐照能力的大致情况，分析器件中子位移损伤存在差异的原 因。试验研究表明，低输入电流、高电流传输比率的光电耦合器件有较强的抗中子辐照能力。该结论可为今 后提高武器电子学系统抗中子辐射水平提供参考． 关键词光电耦合器件 中子辐射损伤 辐射辐照 光电耦合器件比其它普通集成电路结构简单，能够实现电子系统不同组件之间的电气隔离，在实际 系统中得到越来越广泛的应用。在核辐射或太空环境下，光电耦合器件电流传输比受到辐射的影响较大， 特别是中子、质子和其它重粒子，在很低的注量下就能对器件产生致命的位移损伤，影响电子系统的正 常工作。在中子环境下，光电耦合器件性能退化或失效主要有中子位移损伤和单粒子翻转两种损伤机制。 位移损伤会导致器件性能参数退化，电流传输比率下降【l】巾1；单粒子翻转是高增益光电耦合器件中普遍 存在的辐射效应现象，会严重影响系统的正常工作。本文着重研究中子位移损伤对光电耦合器件电流传 输比的影响，以及研究不同工艺光电耦合器件抗中子注量的差异。尽管光电耦合器件单粒子翻转效应也 很重要，但不是本文的研究重点。 从调研资料可以了解到，光电耦合器件采用非加固的商用LED、光探测器和双极晶体管等器件， 明显下降。因此，在中子辐照时，非加固普通光电耦合器件极易失效，是电子系统中的薄弱环节。光电 耦合器件TLP521是～种双极型掺杂LED输入，单个光敏三极管输出的普通光电耦合器件，其结构如 图1所示，该器件抗中子能力很差。 要提高光电耦合器件抗辐照性能，必须对光耦合器件LED发光二极管和PIN光探测器进行抗辐射 加固的设计。LED的加固措施主要是新结构设计，采用异质结构代替同质结构，异质结构有较强的抗 的加固主要是减少有源区体积和减薄空间电荷区厚度，器件电流输出采用达林顿结构。光耦合器件 624139是一种新型光耦合器件，它采用了新型加工工艺，抗辐射能力比普通光电耦合器件有较大提高， 其结构如图2所示。 ]昆 图l光耦合器件TLP521内部结构 图2光耦合器件6N139内部结构 的指标特性见表1，从表中可以看出，新型光电耦合器件比普通光电耦合器件有较高的电流传输比 周开明，杨有莉，李小伟：光电耦合器件中子辐照损伤研究 三极管放大输出的器件。 表1 6N139和TLP521两种光电耦合器件的主要特性 1试验方法 中子辐照试验在中物院核物理与化学研究所CFBR-II快中子脉冲堆上进行。其运行指标为：堆表 辐照，当累积注量达到规定值时，停堆、加电，分别测出两种光电耦合器件LED正向电流而、探测器 集电极电流昆，测出TLP521输入正向电压珞，然后重新开启反应堆，继续对样品进行辐照。测出一组 中子注量下正向电压硌和正向电流后的变化情况。 2实验结果 化情况，从图中可以看出，在相同正向电流下，经过中子辐照的LED正向电压会增加。 光耦合器件电流传输比严重下降。 善 丑 j 簿 爝 啦 —曾 壤 脚 善 1 正向电流l。(mA) 图3 TLP521样品辐照前后正向电压咋与正向电流而 图4TLP521样品辐照前后正向电流毒与电流传 变化的相互关系，中子注量为1．345x1012n／cin2。输比的相互关系，中子注量为1．345x1012n]cIn2．