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镍铝合金硅化反应研究 黄益飞，蒋玉龙，茹国平 (复邑大学徽电子研究院，上海200433) 擒要： 系统研究．结果显示，该体系中存在AI向№的扩散和Ni与甾反应的两种过程，450C退火处理 下，由于界面的Al层阻止了硅化镍的生成，～作为主导扩散粒予往Ni金属层扩散，而镍铝化舍 物在实验中并未发现．～的加入对于NiSiJSi接触肖特基势垒并无显著改变． 关键词：金属硅化物；固相反应；合全 1引言 认为是亚微米工艺中用作源漏橱接触的关键材料【k刁．已有的研究表明镍硅化物在n型硅上势垒高度介于半 导体禁带中央，为了能够适用于n和P型MOS器件，镍金属合金的势垒调节也被作了充分的研究，包括 Ti、Hf,Zr、Pd、n和～等金属。到目前为止已经有№，b敞等人对越与已经形成的N两化合物的在不 同温度下退火反应作了研究，，而Hung等人对Ni／AI金属在二氧化硅匕面的扩散反应作了报邋碉。 本文采用不同Ni^U合金结构，对Ni／Ai合金在m型上面的硅化反应以及互相扩散影响进行系统研 究，同时利用电流．电压测试对肖特萋势瞧进行对比分析． 2实验 本文用n型(100)硅片和表面含有直径为0．6mm接触孔圆形的硅片进行标准工艺清洗，以1：50稀释 mn)／Si000)、AI(10nm)／Ni(40m)／Si(100)、Ni(20nm)／Al(10m)aqi(20nm)／Si(100) mn)／Si(100)、Ni(40nm)／Al(10 的样品。N2氛围下进行300C-800C1分钟快速热退火处理。光刻样品用HzSOz：Hz02ffi2：1溶液加热腐蚀1 阻，X射线衍射(Ⅺm)分析确定生成物相，俄歇电子能谱(A毯)剖面分析元素的分布状况。 3结果与讨论 样品在低温下具有较高薄层电阻，高于350C时，电阻值显著降低，700C之后又有所上升。这与常规Ni／Si 的退火处理之后，NiSi2的生成使得薄层电阻又升高。含有金属Al的Ni／Si固相反应的薄层电阻显示类似变 化规律。对于Ni／AI／Si样品，450℃退火之后方块电阻有一明显的上升，这是由于砧向表面的Ni层扩散引 起薄膜的不均匀性导致。 上海市自然科学基金资助项目(05ZRl4017)；中国．比利时佛拉芒大区科技合作计划项目(剐∞嘀∞1) 如图3所示：450(2退火之后M尚未与si反应，原车存在于N捌界面的A1分布于两部分，—部分处于 Ni／Si界面，另外一部分分布于外表面。界面的Al的阻挡使Ni依然以金属态而不是硅化物态存在。550C 分析为NiSi。 一融 一日、16i{i{n 一鎏萝矛 豢 图】四种不同结构样品薄层电阻随退火温度的变化芙系罔2网种鲒构样品＆不同温度1分钟退火后的x射线衍射谱 衰I口种结构样品妊褶温嘘退火后XP．D分析删的槲目比较 在退火过程中，A1是主导扩散粒子l“，其扩散速度要快于Ni．而且从XRD结果可姗i有的样品在实 验条件下都没有生成铝镍的化合物。退火时存在两种互相竞争的进程，即Al的向Ni扩散(扩散过程)和 件下，扩散过程起主导作用，反应过程由于Nif3i在界面AI层扩散完之前无法形成直接接触而尚未发生。 从AES结果观察到AI从界面向表面扩散部分完成的情况。550C退火条件下．界面的Al层完全扩散到了 SputteringTime(s) 为了研究舢对NiSi的肖特基势垒的影响，我们测量了四种结构的金半接触肖特基二极管的电I-V曲 线，并可根据下列热电子发射模型拟合出肖特基势垒高度粤 ，睨，=AA’2唧(一鲁)唧P笔笋] ∞ 吮是肖特基势垒，r是测试温度，A。是有效理查德逊常数，屯是二极管面积，k是波耳兹曼常数，q是 电子电荷。I-v正向步长0．01 V，拟合区间为正向0到0．6V，所得肖特基势垒高度列于表2。 襄2四喇嗣旬样品不同温度i巨火后肖特基势垒高度比较 当退火温度低于700℃时，含m结构样品与Ni／Si结构相比，势垒高度无明显变化，处于0．59eV到 O．65 eV之间。70012和800℃退火处理后，由于团聚等原因，肖特基接触特性(整流特性)