反激式开关电源共模传导发射模型与分析与应用.docVIP

反激式开关电源共模传导发射模型的分析与应用 作者：林思聪 陈 为　福州大学电气工程及自动化学院 摘 要 以反激式开关电源为研究对象，分析了其共模传导噪声的干扰源、传输通道以及变压器分布电容参数对共模嗓声的作用，建立相应的共模传导发射分析模型和变压器分布电容模型；重点分析了二次侧干扰源的影响及其作用机理，提出了一种简单但有效降低共模传导噪声的方法，并进行了实验验证。关键词 开关电源共模传导噪声变压器分布电容 1 引言开关功率变换器中非线性工作的开关半导体器件形成的非线性的电压和电流干扰噪声源通过变压器和功率器件的分布参数及引线、PCB走线等的杂散参数的耦合传播，形成EMI噪声，对公用电网造成严重的电磁干扰。抑制EMI主要是从减小干扰噪声源和阻断耦合传播通道上着手的。对EMI的分析，比较有效的方法是通过建立EMI噪声发射模型，分析模型中的各个影响因素，再进一步提出降低噪声的方法。许多文献都对开关电源建立了噪声模型，甚至包括开关元器件、PCB板走线、连线等高频模型，但存在的不足是没能比较完整地考虑变压器分布参数的影响。有的只用一个耦合电容Cps来表达变压器一次绕组与二次绕组间的噪声耦合关系，没有考虑二次侧干扰源的作用，所建立的共模传导发射模型不够完整。也有不少文献对功率变压器高频模型进行研究，但主要是针对电气参数模型，如损耗、漏感、多绕组等的等效电路，而不是针对EMI模型分析的。本文以反激式开关电源为研究对象，分析其EMI干扰源及其共模传导发射传播机理，进一步建立了比较完整的共模传导发射模型，并进行了实验验证。该模型考虑了一次侧开关管和二次侧整流二极管的干扰源效应及其关系，细化了变压器一次绕组与二次绕组的耦合电容。在此基础上，进一步分析变压器绕组屏蔽对分布电容参数及模型的影响，并提出了一种降低共模传导噪声的简单方法，进行了实验验证。2 考虑二次侧干扰源作用的共模传导发射模型反激式开关电源及共模传导发射测量原理图如图1a所示。虚线框内是实验中用来测量传导发射 大小的采用CISPR标准规定参数的LISN电路。文献用一个电容Cps表示变压器的耦合电容，对干扰源仅考虑一次侧开关管M1的作用，因此得出共模传导发射等效模型如图1b所示（输入和输出电容在高频下认为短路，忽略引线的高频效应）。对图1a的进一步分析，不难看出，开关电源二次侧的高频整流二极管也是一个干扰源，尤其是当输出电压比较高时。而仅仅引入一个Cps无法表达该二次侧干扰源的影响，因此我们引入另一个变压器耦合电容Csp，来表达二次侧干扰源的作用通道。Csp表示变压器二次侧绕组连到电位变化点（即二极管的正极）那一端对一次绕组的藕合电容，如图2a所示。 对于一次绕组与二次绕组间没有加屏蔽的变压器，Cps很大（高达几百皮法），远远大于Co，因此Cps可忽略。由此得到其共模传导发射模型如图2b所示。对图2b模型的波形极性分析不难知道，一次侧干扰源与二次侧干扰源的作用极性是相反的，流过LISN阻抗的共模传导噪声总电流为 在实际电路参数中，虽然VM1－gnd大于VD1较多，但如果能使得 则，能有效地减小共模噪声电流icm或噪声电平Vcm。为验证上述模型和分析的正确性，对一台反激式单路输出开关电源进行实验测量。电源设计参数为：输入交流：50Hz，85～220V输出直流：15V，4A开关频率：50kHz由图2b模型及公式（1）可知，通过调整Cpo、Co和Csp的大小可以使共模噪声电压Vcm达到最小。因Cpo大小不易调整，为了直观地说明两个干扰源的作用及其极性的正确性，实验时，将图2a中的B点，即输出电源负极连接到大地，使Co阻抗等于零；并在Csp两端（即变压器的1、3两端）通过并联外加电容，以调整Csp的大小。利用示波器同时测量LISN的共模等效25Ω电阻上的共模噪声电压Vcm和MOSFET管M1漏极对地电压VM1－gnd电压探头的具体位置如图2b中虚线所示。图3a显示了Csp较小时实测的波形。从图中可见，Vcm与VM1－gnd相位一致，说明此时是VM1－gnd对共模传导噪声起主要作用。 当将Csp调整增加到一定值时，出现Vcm最小的情况，如图3b所示。如果继续增大Csp，LISN上的Vcm波形改变了极性方向，此时Vd1对共模传导噪声起主要作用。波形如图3c所示。上述测量结果和所建模型的预测一致，从而证明了二次侧干扰源对共模传导噪声存在着影响，二次侧干扰源通过Csp对一次侧噪声源产生的共模噪声的补偿作用以及所建立模型的正确性和有效性。3 变压器存在屏蔽时的共模传导发射模型由图2b模型及以上分析可知，合理的调整分布参数Cpo，Csp和Co，可最大限度地降低共模传导电流。但实际中，为保证一定的散热效果，Cpo一般是固定的，而Co无法预测和调整，所以可以调整的参数主