2014年mems微机电系统.pptVIP

反应离子束刻蚀（RIBE） RIBE是改进的离子束刻蚀（IBE）.它采用加入离子源的气体代替惰性气体，通过栅电极从等离子体中萃取离子形成离子束，避免了硅片与等离子的直接接触。 栅电压是可以调节的，来控制离子能量。通过控制等离子体的电离程度来控制离子束密度，从而控制刻蚀速率。 干法刻蚀工艺特点： a.各向异性好 b.良好的刻蚀选择性; c.合适的刻蚀速率； d.好的片内均匀性 e.工艺稳定性好，适用于工业生产 谢谢！ 微光机电系统 机制班 戚二辉 主要内容 1. 电子束光刻胶的最新发展 2.MEMS常用材料 3..MEMS工艺技术 一、电子束光刻胶 最新的电子束光刻胶发展： 美国道康宁公司电子部（Dow Corning Electronics）推出的Dow Corning? XR-1541电子束光刻胶。这一新型先进的旋涂式光刻胶产品系列是以电子束（electron beam）取代传统光源产生微影图案，可提供图形定义小至6纳米的无掩模光刻技术能力。 XR-1541电子束光刻胶 可用于各种高纯度、半导体等级配方的XR-1541电子束光刻胶，是由甲基异丁基酮(MIBK)带性溶剂中的含氢硅酸盐类(HSQ)树脂所构成。这些负光刻胶（negative-tone resists）可在标准旋涂沉积涂布设备上使用，在单一涂布中形成30到180纳米等不同厚度的薄