重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的研究.pdfVIP

重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的研究 曾俞衡1 ，马向阳1 ，杨德仁1∗，宫龙飞2 （1．浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江杭州 310027；2. 宁波立立电子股份有限公司，浙江宁波315800） 摘要：本文采用红外扫描显微术研究了在不同退火条件对重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的影响。实验发现重掺锑 直拉硅片中的氧沉淀长大到一定尺寸时会产生诱生缺陷，我们将氧沉淀产生诱生缺陷的最大尺寸定义为临界尺寸。氧 沉淀产生诱生缺陷的的临界尺寸会随着退火温度而改变。本文尝试对其影响氧沉淀诱生缺陷的机理做了解释。 关键词：重掺锑硅单晶；氧沉淀；二次诱生缺陷；SIRM； 1. 引言 氧杂质是直拉硅材料中最重要的杂质。过饱和的氧原子在硅片内部形成氧沉淀，可以做为有效 吸除金属杂质沾污的内吸杂中心，从而显著提高器件成品率[1, 2]。至今为止，人们已经对直拉硅中氧 沉淀做了大量研究[3]。重掺锑直拉单晶硅是一类重要的外延片衬底材料，通常认为它的氧沉淀是被抑 制的。由于晶体生长技术的进步，直拉硅中的间隙氧浓度明显下降，从而导致重掺锑直拉单晶的氧 沉淀形成能力进一步下降。众所周知，释放自间隙原子是氧沉淀过程释放应力的最主要途径，这些 自间隙原子通常会以氧沉淀为核心聚集生成诱生缺陷[4-6]。这些诱生缺陷是比氧沉淀更为有效的金属 杂质吸杂中心[7]。然而，由于常用的傅立叶红外分析无法用于重掺单晶氧沉淀的分析[8, 9]，重掺锑直 拉硅单晶的氧沉淀在什么情况下诱生缺陷至今尚未清楚。 红外扫描显微术是近十年来发展起来的一种无损检测硅片体缺陷的手段，可以方便地得到硅片 中体缺陷（BMDs）的密度、尺寸等信息[10]。本文采用红外体缺陷分析仪、择优腐蚀结合光学显微镜 等手段研究了不同退火温度对重掺锑直拉单晶硅中氧沉淀诱生二次缺陷的影响，并尝试地对温度影 响氧沉淀诱生缺陷的机理做出解释。 2. 实验 实验选取单面抛光、111晶向、电阻率为 0.005-0.02 欧姆厘米的重掺锑直拉单晶硅片作为实 验样品。采用气相溶融法（GFA）测得重掺锑直拉硅样品中的氧浓度约为 1.2×1018 -3 cm 。样品被切成 2 o o o o 2×2cm 的小片，在经过RCA工艺清洗后，进行如下热处理：氩气气氛下 800 C、850 C、900 C、1050 C 和 1150oC下8-64 小时的单步等温热处理。退火样品经过Struers公司的TegraPol-25 型抛光机的化学 机械抛光，再由Semilab公司的红外体缺陷分析仪（SIRM-300）进行分析检测。此外，900oC等温退火 样品经过Y1腐蚀液[11] （一体积CrO溶液（0.5mol/L）与一体积HF溶液(49%)混合而成）择优腐蚀 20 3 分钟，再由Olympics MX-500 光学显微镜观察其腐蚀形貌。 3. 结果与讨论 o 图 1 显示经过氩气下 900C退火8 到 64 小时的重掺锑直拉硅的体缺陷的尺寸-密度分布图。可以 看到，随着退火时间的延长，硅片体缺陷的密度和尺寸逐渐增加。当退火时间延长到 32 小时，硅片 中体缺陷的尺寸分布分裂成两部分，一部分是生长速率较低的小尺寸体缺陷，另一部分则是生长速 率较高的大尺寸体缺陷。由于硅片存在着少量的原生氧沉淀核心，因而认为最初形成的小尺寸体缺 ∗ 基金项目：**国家自然科学基金(编and . *通讯作者： 杨德仁，男，教授。E-mail: mseyang@zju.edu.cn 1 陷是原生氧沉淀核心在退火过程中长大形成的[12]。体缺陷尺寸分布的分裂则可能是氧沉淀产生诱生 缺陷所导致。 o