晶硅表面薄膜硅钝化效果研究论文.pdfVIP

．64．第十届中国太阳能光伏会议论集 晶硅表面薄膜硅钝化效果研究 赵雷1’。，刁宏伟1，曾湘波2，周春兰1，李海玲1，王文静1 (1．中国科学院电工研究所太阳电池技术研究组，北京，1001902．中国科学院半导体研究所，北京，100083) 摘要 相结构的薄膜硅材料在晶硅表面上的钝化效果。结果表明。相比纳米晶、微晶等晶相结构，非晶硅的钝化效 果最好。分析认为，薄膜硅材料中H原子含量越多，钝化效果越好，并且钝化效果与H原子的成键方式有关， si．H键处于致密的非晶硅薄膜材料内，具有最佳的钝化效果，si．H2键处于非晶，结晶相的界面上或者薄膜内 的微空洞处，钝化效果较弱。 关键词 HIT太阳电池；薄膜硅；表面钝化 ·●‘·-L l刖 舌 withIntrinsic 日本SANYO公司开发的HIT(HeterojunctionThin—layer)太阳电池是一种低成本高效电池。 这种太阳电池利用PECVD方法在晶硅衬底上低温淀积掺杂非晶硅层构成pn结。与传统太阳电池制备所采用 的扩散工艺相比，这种工艺既减少了能耗，避免了硅片在高温处理过程中可能产生的性能退化，又可以使太阳 电池获得高的开路电压和低的温度系列卜2|。因此，mT太阳电池迅速成为了国际上的研究热点【3巧】。 但是，由于在非晶硅和晶体硅能带之间存在着能带失配，非晶硅／晶体硅异质结界面质量成了决定HIT太 阳电池性能高低的关键。界面缺陷态过高，会造成太阳电池开路电压迅速下降。为了得到高质量的非晶硅／晶 体硅异质结界面，除了对晶硅表面进行苛刻的清洗之外，需要在掺杂非晶硅和晶体硅之间插人一层本征薄膜硅 钝化层。 随制备工艺的不同，薄膜硅晶相结构可以是非晶硅、微晶硅、纳米晶硅等。SANYO公司采用的是本征非 晶硅钝化层。有另外的研究机构采用的是本征纳米晶硅，甚至微晶硅。到底哪种晶相结构的薄膜硅材料具有最 好的钝化效果，仍然需要做深入的对比研究。 基于此，本文采用PECVD淀积工艺，通过调整淀积工艺参数，在单晶硅衬底上淀积制备了具有不同晶相 法，研究了薄膜硅晶相结构和钝化效果之间的关系，对比分析了非晶硅、微晶硅、纳米晶硅在晶硅表面上的钝 化效果和差异，为HIT太阳电池的制备提供参考。 2实 验 薄膜硅制备采用传统PECVD设备淀积，射频源频率13．56 型双面抛光硅片。通过改变淀积工艺条件，包括衬底温度、气体流量、气压、射频功率、淀积时间等在硅片表 面淀积薄膜硅材料。同时采用石英衬底制备RRiilan测试样品。 Raman光谱测试采用法国Jobin．Yvon公司的LabramHR800光谱仪在室温下进行，激光波长514n／n，采 ’通讯作者：zhaolei@mail．i∞．ag．∞本研究受国家863计划资助(资助项目号：2006AA052405) 晶体硅太阳电池及材料．65． 用合适的低激发功率以防止非晶相发生晶化。 空下进行。 少子寿命测量采用匈牙利SemilabWT2000测试仪，测试波长904nm。样品背面采用I-IF酸钝化。 3结果与分析 3．1Raman光谱分析 ≤ ! 越 慧 Raman频移／cm。 图11-15号系列样品的Raman光谱 以利用晶硅和非晶硅中Si—SiTO声子模峰位的不同来获得薄膜硅的结构性质。在晶硅中，Si．SiTO声子模峰位 cm-1的位置。而通常的薄膜硅材料是由非晶相、晶粒组成的混合相材料，因此Raman散射谱通常是非晶相、 晶相和小晶粒散射的叠加。因此，可以通过三高斯峰拟合的方法来对Raman光谱进行解谱，并根据三个峰的 峰位和强度之间的关系来衡量薄膜硅材料中的非晶相和晶相的含量【6】。图2给出了这种三高斯峰拟合解析 Raman光谱的示意图。 j