聚烷氧基噻吩及聚噻吩%2fCdSe复合膜制备与表征.pdf

聚3．烷氧基噻吩及聚噻吩／CdSe 复合膜的制备与表征 摘要 本文以3．溴噻吩为原料，N．甲基吡咯烷酮(№但)为溶剂，在CuBr 催化剂下，使其与过量的甲醇钠发生取代反应合成3．甲氧基噻吩。精制后， 谱．质谱联用定性分析合成产物，并用气相色谱内标法，对合成产物进行定 量分析。通过正交实验研究了反应物摩尔比、反应时间、反应温度以及催 h、120℃、 化剂用量对3．溴噻盼的转化率影响，确定最优水平条件为1：2、3 2％，以最优水平合成3．甲氧基噻吩，产率为88．0％，通过水洗、精馏提纯 产物，纯度可以达到97．O％。 使用自制的3．甲氧基噻吩，在无水硫酸氢钠催化下，与正己醇反应合 产物进行结构表征。通过正交实验研究了反应物摩尔比、反应时间、反应 温度以及催化剂用量对3．溴噻吩的转化率影响，确定最优水平条件为l：1．6、 3．5h、115℃、2％，以最优水平合成3．己氧基噻吩，产率为72．3％，精制 后纯度达到95．0％。 本文通过化学法，以Fe(nI)催化氧化聚合噻吩、烷氧基噻吩单体，制备 了聚噻吩、聚3．甲氧基噻吩和聚3．己氧基噻吩三种聚合物，使用SEM、UV、 CV对聚烷氧基噻吩膜的表面形态、电化学稳定性、紫外．可见吸收光谱进 行探讨。 用电化学的方法，在0．01 mol／L三氟化硼乙醚．乙腈体系中，以ITO玻 聚烷氧基噻吩膜的表面形态、电化学稳定性、电致变色效应进行探讨。通 过实验发现聚噻吩、聚烷氧基噻吩非常适合做纳米结构CdSe的敏化材料， 组装成噻吩类聚合物敏化纳米晶CdSe全固态光电化学太阳能电池。 关键词：噻吩；3-甲氧基噻吩；3．己氧基噻吩；聚烷氧基噻吩薄膜；聚噻吩 ／CdSe复合膜 Ⅱ PREPAR／蜘ⅡONANDCHARACTERJZATIoNOF POLYTHIOPHENE／CdSeFILMS ABSTRACT hasbeen fromsodium and 3-methoxythiophenesynthesized methoxide 3-bromothiophene，using thesolventandCuBr N-methylpyrrolidone(姗)as asthe was confirmed catalyst．Theproduct by The was determined internal synthesized byGC-MS，An product qualitatively standardis usedto determinetheconcentrationof quatitatively effectsofmolar of ratio，amount 3-methoxythiophene．The timeandreaction tothe of was temperatureyield via