中子衍射应力分析谱仪的模拟和优化.pdfVIP

第 33卷 第 3期 核 技 术 V0l1．33．NO．3 2010年 3月 NUCLEARTECHNIQUES March20l0 中子衍射应力分析谱仪的模拟和优化 陈 华 黄朝强 孙光爱 陈 波 (中国工程物理研究院核物理与化学研究所 绵阳 621900) 摘要 本文选择 巾子散射谱仪蒙特卡罗模拟软件McStas作为研究工具，对中子衍射应力分析谱仪各部件，包 括巾子导管、单色器、准直系统进行模拟和优化。研究结果可为中子衍射应力分析谱仪建设提供必要的参考 数据，对中子衍射应力分析技术的发展台一定促进作用。 关键词 蒙特卡罗模拟 ， 子衍射应力分析谱仪 ，McStas 中图分类号 0571．56 在加工制造和 ／或载荷服役过程 中，材料或部件 确定中了导箭长度 ，、单色器单晶条数 JV、单色器聚 会产生残余应力，影响它们的稳定性、抗疲劳强度、 焦 曲率半径 R、第一、二、三准直器水平发散度 ， 静强度等使用性能IJJ。中子衍射法是在附加外场f温 研究不同光路下谱仪的强度和分辨。 度、压力等1下测量工件 内部应力场的唯一非破坏性 方法。国外众多中子散射实验室纷纷建立中子衍射 应力分析谱仪 ，开展残余应力测量工作，如澳大利 亚核科学技术组织 (ANSTO)的KOWARI[l、法 国劳 厄 郎之万研究所(ILL)的 SALSA[3l等 。随着谱仪性 能的提高，其结构越来越复杂，多用蒙特卡罗模拟 方法进行此类谱仪 的设计优化 。McStas[4,5]是丹麦 RISqb 国家实验室研制的中子散射装置蒙特卡罗射 线追踪模拟的软件平台，本文选用McStas1．12作模 拟计算工具。郭立平等L6’，J对 中子应力谱仪不同 Ge 单色器进行模拟 ，获得最佳组合Ge(311)或Ge(511)。 图1 中子衍射应力分析谱仪布局示意图 我院中子应力谱仪概念设计选择 Cu作垂直聚焦单 Fig．1 Schematicillustrationofresidualstressneutron 色器，为验证其合理性，本文对Cu和 Ge常用晶体 diffractometer． 单色器进行模拟与比较。此外还对导管、准直器等 2 中子导管 中子部件参数进行了优化设计 ，为谱仪设计方案及 实验提供必要的参考数据 。 假定热中子孔道入 口处中子能谱服从麦克斯韦 分布 ，使用 SourceMaxwell3模块模拟中子源 。热 1 中子衍射应力分析谱仪的总体布局 中子温度 =320K，积分注量率 I1=9．87x10 中子衍射应力分析谱仪布局如图 1所示 。由于 cm -。·S 1．ster-，则模拟能谱如图2。 安放空间限制，谱仪距离水平孔道 出口较远 。为屏 McStas组件库未直接提供热中子孔道模型。简 蔽及减小中予强度损失，在水平孔道后设置一段 中 化为两个开 口110mm(H)z60mm( 、间距 4．05m 子直导管。中子束从水平孔道引出后，经导管、第 的 限束 孔 ， 即用 两 个 slit模 块 替 代 。使 用 一 准直器入射到单色器上，单色器将满足布喇格条 straightguide模块模拟直导管 。根据谱仪安放空间， 件的单色中子束反射出来，经第二准直器和限束孑L 直导管长度 ，优化范围设 4—7m，扫描点步距为 0．5 入射到样 品上 ，样 品产生的衍射束经限束孔、第三 1TI；导