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第 24 卷增刊 光电工程 V o l24, Sup.
1997 年 12 月 , 1997
Op to E lectron ic Engineering D ec
反应离子刻蚀工艺因素研究
张 锦 冯伯儒 杜春雷 王永茹
周礼书 侯德胜 林大键
( 中国科学院光电技术研究所微细加工光学
技术国家重点实验室, 成都, 610209)
摘要 通过大量的实验研究, 介绍了反应离子刻蚀的原理, 分析了不同材料反应离子
刻蚀的机理和关键的工艺因素, 给出了工艺参数结果。
主题词 离子束光刻, 离子腐蚀, 光刻工艺。
分类号 TN 405. 98
Research on the Technolog ica l Factors
for the Reactive Ion Etch ing
Zhang J in , Feng Boru, D u Chun le i, W ang Y ongru,
Zhou L ishu, Hou D esheng, L in Da j ian
(S ta te K ey L abora tory of Op tica l T echnology f or
M icrof abrica tion , Institu te of Op tics E lectron ics ,
Ch inese A cad em y of S ciences , Cheng d u , 610209)
Abstract T he p rincip le fo r the reactive ion etch ing is p resen ted th rough the large
.
num bers of experim en ts and investigation s T he m echan ism and the key techno logi
cal facto rs of the reactive ion etch ing fo r the differen t m aterials are analyzed. T he
techno logical param eters and the resu lts are given.
Subject term s Ion beam pho to lithography , Ion etch ing, Pho toetch ing techno logy.
Cla ssif ica tion num ber TN 405. 98
引 言
随着半导体集成电路、集成光路和其它光电子器件向微形化和高密度化方向发展, 对刻蚀
的工艺要求亦越来越高。传统的湿法刻蚀由于其刻蚀的各向同性产生严重的钻蚀, 使得图形刻
[ 1 ]
蚀后的边缘比较粗糙, 要刻蚀 3m 以下线宽的图形十分困难
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