氟在多晶硅栅中迁移特性分析与模拟.pdfVIP

　第 19 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 5　 V o l N o 　1998 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 氟在多晶硅栅中迁移特性的分析与模拟 张廷庆　李建军　刘家璐 ( 西安电子科技大学微电子所　西安　710071) 赵元富 (骊山微电子研究所　临潼　710600) 摘要　在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上, 建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程. 采 用有限差分法, 模拟了氟在多晶硅栅中的分布, 模拟结果与实验符合得很好. 给出了氟在多晶 - 2 - 12 ( ) 硅中的发射系数 约为 6 ×10 , 氟在晶粒间界的扩散系数 = 9 ×10 - 0895 e s D b exp kT 和氟在 界面的吸收系数 与温度的变化关系. Po ly Si SiO 2 S 1 : 6170 , 6170 , 6170 PACC T A W 1　引言 在多晶硅栅中引入适量的氟, 不但可以增强M O S 器件的抗热电子能力[ 1, 2 ] , 而且可以 [ 3, 4 ] [ 5 ] 加固栅介质, 提高 器件抗 辐射性能 . 等 应用网络扩散方法模拟了氟在多 M O S T seng 晶硅栅中的迁移特性, 但在 SiO 2 中的模拟结果与实验并不相符, 而氟在 SiO 2 中分布的模拟 正确与否直接关系到M O S 器件抗热电子能力和抗 辐射性能的提高, 因此深入分析和正 确模拟氟在多晶硅栅中的迁移特性就显得特别重要. 本文在深入分析氟在多晶硅栅中迁移 特性的基础上, 建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程. 采用有限差分法, 模拟了氟在多晶硅栅 中的分布, 模拟结果与实验结果符合得很好. 2　氟在多晶硅栅中迁移特性的分析 F + 注入多晶硅栅热退火后 F 在多晶硅栅中的典型 S IM S 分布如图 1 所示. 可以看到, F 在多晶硅栅中的分布是比较复杂的. 退火前, 注入到多晶硅中的 F 遵守高斯分布. 高温退火 　 国家自然科学基金资助课题 张廷庆　男, 教授, 主要从事半导体集成电路、半导体器件物理的教学与科研工作 刘家璐　女, 副教授, 主要从事微电子技术的教学与科研工作 收到,定稿 356 　　　　　　　　　　　　　　　半　导　体　学　报　 19 卷 后, 随着退火温度的升高, F 注入 峰的高度不断下降, 分布宽度不断 变窄. 位