超大规模集成电路快速热退火工艺优化研究.pdfVIP

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2017-08-31 发布于安徽
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超大规模集成电路快速热退火工艺优化研究.pdf

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』IIII I II)fll f r I IIIlUl Y1 摘要当面对更大尺寸的硅片和更小的特征尺寸器件时，硅片上温度的微小变化，所造成的温度小均匀度，就会导致产品合格率的降低，论文提出快速热退火温度均匀性的解决方案。在阐述原理的基础上，通过ASMC制造T艺流程中应用的实例，选取刁i同剂量，不同能量，不同杂质离子作为_T艺条件，在纯氮气的工艺气氛中进行4i同温度的热退火，以寻找适合RTP(快速热退火)设备日常监控温度变化最敏感的工艺条件。生产实际中发现LPNP(横向PNP管)集电极和发射极的短路，我们分析SEM (产品截面)照片，通过模拟实验，找出LPNP集电极和发射极短路的原因，通过快速热退火工艺，治愈了损伤，提高了成品率。本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的快速热退火设备的日常监控具有参考意义。关键词：快速热退火工艺横向PNP管温度监控温度均匀性氧化层损伤恢复良率中图分类号： Abstract Itis thewafersize that becomes and generallyacknowledged bigger the devicecounthasbeen a minimum increasing accompaniedby shrinking feature causewafer uniformi size．Temperaturechangemay tygoes worse， leadtolow rate．InthiS wediSCUSStheresolutionabout approved paper formi uni of idthermalanneal． temperaturety rap WehavediscussedbasedOilthe of dthermal theoryrapi anneal，using the ofsemiconductorinASMC．wedo thermal example process rapid anneal inN2ambienceatdifferent temperature，differentdose，differentenergy， different tofindoutthemost doping．Wetry sensitivecondition process anduseitforofflinecontrolforRTP． Inour shortcircuit inLPNP．We